Микроэлектроника

интегральный транзистор p-n-p-типа

• Основным приемлемым вариантом интегрального транзистора p-n-p-типа является так называемый горизонтальный или боковой транзистор (рис. 7.4). Для его формирования не надо вводить дополнительных технологических операций, так как p-области его эмиттера и коллектора получаются одновременно при создании p-области базы транзистора n-p-n-типа. Однако горизонтальный p-n-p-транзистор оказывается бездрейфовым из-за однородного легирования его базовой области – эпитаксиального слоя. Толщина активной части базы горизонтального транзистора получается относительно большой. Все это приводит к посредственным частотным свойствам горизонтального транзистора: его граничная частота не превышает обычно нескольких десятков мегагерц.

Многоэмиттерный транзистор

• . Многоэмиттерный транзистор — это интегральный элемент, не существовавший в дискретной электронике.
• Устройство многоэмиттерного транзистора показано на рис. 10.4.
• В общей базовой области расположены несколько эмиттеров. Базовая р-область имеет отросток, в конце которого сделан вывод базы, находящийся близко к выводу коллектора. Сопротивление базового отростка Rб=150...300 Ом, поэтому р-n-переход между коллектором и основной областью базы соединяется с выводом базы через сопротивление, а р-n-переход между коллектором и отростком базы подключен непосредственно к выводу базы. Такая особенность топологии многоэмиттерного транзистора уменьшает инверсный коэффициент передачи, что оказывается полезным при использовании таких транзисторов в логических схемах. В остальном, многоэмиттерный транзистор подобен сборке из нескольких обычных транзисторов, у которых все коллекторы соединяются в одной точке схемы, все базы — в другой, а эмиттеры имеют отдельные выводы. На рис. 10.4 знаком «+»отмечены области с повышенной концентрацией примеси. Эквивалентная схема многоэмиттерного транзистора показана рис. 10.5.