Микроэлектроника яримўтказгич электроникаси ривожининг давоми ҳисобланади

- p-n ўтиш орқали тўғри ток оқиб ўтаётган бўлса, у ҳолда ўтиш очиқ ва ундаги кучланиш U*=0,7 В;

- p-n ўтиш кучланиши тескари, ёки U* дан кичик йбўлса, у ҳолда ўтиш берк ва оқиб ўтаётган ток нолга тенг;

- транзистор тўйиниш режимида бўлса, у ҳолда коллектор–эмиттер оралиғидаги кучланиш U*_КЭ.ТЎЙ=0,3 ÷ 0,4 В.

Мураккаб инверторли ТТМ схемаси амалиётда кенг қўлланилади. У икки тактли чиқиш каскади (VT2 ва VT3 транзисторлар, R4 резистор ва VD диод), бошқарилувчи фаза ажратувчи каскад (VT1 транзистор, R2 ва R3 резисторлар) дан ташкил топган.

ТТМ элементлари потенциал элементлар қаторига киради: улар асосида компьютер схемаларини тузишда улар ўзаро гальваник боғланадилар, яъни конденсатор ва трансформаторларсиз.

Мантиқий 1 ва мантиқий 0 асимптотик қийматлари U¹≥ 2,4 B; U⁰≤0,4 B, U_ҚУ =U¹-U⁰ =2 В кучланишлар билан ифодаланади.

Юқорида кўриб ўтилган сериялар функционал ва техник тўлиқликка эга, яъни турли арифметик ва мантиқий амалларни, хотирада сақлаш, ёрдамчи ва махсус функцияларни бажаради.

Асосий ТТМ тури бўлиб мантиқий қўпайтириш инкори билан яъни, ҲАМ-ЭМАС амалини бажарадиган Шеффер элементи ҳисобланади.