Микроэлектроника яримўтказгич электроникаси ривожининг давоми ҳисобланади

t^0,1 – мантиқий 0 ҳолатидан мантиқий 1 ҳолатига ўзгариш вақти;
t^1,0_кеч – уланишни кечикиш вақти;
t^0,1_кеч – узилишни кечикиш вақти;
t^1,0_{тарқ.кеч} – уланганда сигнал тарқалишини кечикиш вақти;
t^0,1_{тарқ.кеч} – узилганда сигнал тарқалишини кечикиш вақти.
Кетма–кет уланган МЭлар сигналларининг вақт бўйича кечикиши ҳисобланганда сигнал тарқалишининг ўртача кечикиши ишлатилади (маълумотномаларда келтирилади)

МЭларнинг интеграл параметрлари технология ва схемотехниканинг ривожланиш даражасини акс эттиради. Асосий интеграл параметрлар бўлиб уланиш иши А_ул ва интеграция даражаси N ҳисобланади.
Қайта уланиш иши ўртача истеъмол қувватини ўртача қайта уланиш вақтига кўпайтмаси орқали аниқланади

Технологиянинг ривожланиш даражасига кўра қайта уланиш иши ҳар ўн йилда бир ярим даражага камайиб бормоқда. Шу сабабли бу параметрдан ИС турларини солиштиришда фойдаланиш мумкин.

• 
  Элемент иккита мантиқий киришга эга бўлиб, у кўп эмиттерли транзистор (КЭТ) асосида ҳосил қилинган ток қайта улагичи ва VT1 транзисторли электрон калит (инвертор)дан тузилган.
  
• 
  КЭТ ТТМ турдаги МЭларнинг ўзига хос компонентаси ҳисобланади. У умумий база ва умумий коллекторга эга бўлган транзисторли тузилмадир.
  
• 
  Стандарт схемаларда киришлар (эмиттерлар) сони К_БИРЛ≤8. ТТМ элементлар таркибидаги КЭТ инверс режимда ёки тўйиниш режимда ишлаши мумкин.
  
• 
  Схеманинг статик режимини таҳлил қилишда қуйидаги соддалаштиришлар қабул қилинган, агар:
  
•