Микроэлектроника яримўтказгич электроникаси ривожининг давоми ҳисобланади

Схема симметрик бўлгани учун, кучланиш манбаи ва температура бир вақтда ўзгарганда, чиқиш кучланиши U_ЧИҚ=0 қиймати сақланиб қолади, яъни идеал ДКда нолнинг дрейфи бўлмайди.

ДК симметрик бўлгани сабабли кириш сигнали U_КИР ЭЎлар орасида тенг тақсимланади: уларнинг бирида кучланиш 0,5·U_КИР қийматга ортади, иккинчисида эса шу қийматга камаяди.

Бунда VT1нинг эмиттер ва коллектор токлари мусбат орттирма, VT2 транзисторнинг мос токлари эса – манфий орттирма олади.

Натижада қуйидагича чиқиш кучланиши ҳосил бўлади:

Амалда ДКнинг тўрт хил уланишидан фойдаланилади:

- симмтерик кириш ва чиқиш;

- симметрик кириш ва носимметрик чиқиш;

- носимметрик кириш ва симметрик чиқиш;

- носимметрик кириш ва чиқиш.

Бунда фойдаланилмайдиган кириш кучланиши ўзгармас сатҳли қилиб олинади, масалан, умумий шинага уланади.

Агар кириш сигнали U_КИР1га берилса, чиқишда инверсланмаган сигнал олинади.

Демак, U_КИР1 инверсламайдиган кириш, U_КИР2 эса – инверлайдиган кириш бўлади.

ДК кучайтириш коэффициенти коллектор занжиридаги RК юклама қаршилигига боғлиқ бўлади.

Интеграл технологияда RК қийматининг ортиши билан, кристаллда у эгаллаган юза ортади ва транзисторлар иш режимлари сақланган ҳолда, кучланиш манбаи қиймати ҳам ортади.

ДКларда кучайтириш коэффициентини ошириш учун, R_К резисторлар ўрнига, динамик (актив) юкламадан фойдаланилади.