Muhammad-al xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti radio va mobil aloqa fakulteti

1.2. Tranzistorlarning ulanish sxemalari

Kuchaytirgichni to‘rtqutbli ko‘rinishida berilishi
Kuchaytirgich qanday kuchaytirgich (audio kuchaytirgich, lampali kuchaytirgich yoki radiochastota kuchaytirgichi) bo‘lishidan qat’iy nazar ikkita uchlari kirish va ikkita uchlari chiqish hisoblanadigan to‘rt qutbli hisoblanadi. Kuchaytirgichning ulanishi tuzilish sxemasi 1.4- rasmda keltirilgan.

1.4- rasm. Kuchaytirgich ulanishining tuzilish sxemasi

Asosiy kuchaytiruvchi element – tranzistor atigi uchta chiqishga ega, shuning uchun tranzistorning uchlaridan birini bir vaqtda signal manbai (kirish uchi sifatida) va yuklamani ulash (chiqish uchi sifatida) ulash uchun ishlatishga to‘g‘ri keladi.

Tranzistorning qaysi uchi ham kirish, ham kuchaytirgichning chiqishi kuchaytirgichning kirishi uchun umumiy hisoblanishiga bog‘liq ravishda tranzistorning ulanish sxemalari quyidagicha nomlanadi:
- bipolyar tranzistorlar uchun:

• 
  umumiy emitterli sxema;
  
• 
  umumiy bazali sxema;
  
• 
  umumiy kollektorli sxema;
  

- maydoniy tranzistorlar uchun:

• 
  umumiy istokli sxema;
  
• 
  umumiy stokli sxema;
  
• 
  umumiy zatvorli sxema.
  

Bipolyar tranzistorning ulanish sxemalari
Umumiy emitterli (UEli) sxema
UEli sxema quvvat bo‘yicha eng katta kuchytirish koeffitsientiga ega, shuning uchun yuqori chastotali kuchaytirgichlar uchun eng keng tarqalgan yechim bo‘lib qolmoqda.
Umumiy emitterli sxema bu tranzistorning emitteri ham kirish signalini ulanishi uchun, ham yuklamani ulanishi uchun ishlatiladigan kuchaytirgich hisoblanadi. Umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulangan tranzistorli kuchaytirgichning funksional sxemasi 1.5- rasmda keltirilgan.
Bu sxemada to‘rt burchak fonda 1.4- rasmda keltirilgan kuchaytirgichning chegaralari ko‘rsatilgan. Unda tranzistorning ta’minot zanjirlari ko‘rsatilmagan. Hozirgi vaqtda umumiy emitterli sxema ovoz kuchaytirgichlarida deyarli qo‘llanmaydi, lekin televizion signal kuchaytirgichlari, GSM kuchaytirgichlari va boshqa yuqori chastotali kuchaytirgichlarda ular keng qo‘llanadi.

1.5- rasm. Tranzistorning umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulanishining funksional sxemasi

Tranzistorni umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulanishi sxemasining kirish qarshiligi tranzistorning kirish xarakteristikasi orqali aniqlanadi. U tranzistorning baza toki, demak, kollektor tokiga bog‘liq bo‘ladi. Tranzistorni umumiy emitterli sxemasining amplituda-chastota xarakteristikasida yuqori kuchaytirish chastotasi tranzistorning boshqa ulanish sxemalariga qaraganda minimal bo‘ladi. Umumiy emitterli sxema bo‘yicha tranzistorning yuqori kuchaytirish chastotasi f_β (f_h21e) chastota orqali cheklangan.

Umumiy bazali sxema
Umumiy bazali sxema odatda yuqori chastotalarda qo‘llanadi. Tranzistorning bunday ulanish sxemasining quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti umumiy emitterli sxemaga qaraganda kichik bo‘ladi. Bu tranzistorning umumiy bazali ulanishi sxemasi tok bo‘yicha kuchaytirmasligiga bog‘liq. Bu sxemada kuchaytirish faqat kuchlanish bo‘yicha bo‘lib o‘tadi. Tranzistorning umumiy bazali ulanishi funksional sxemasi 1.6- rasmda keltirilgan.