Ная диффузия и амбиполярный дре

Контрольные вопросы
1.Дайте характеристику дрейфовым и диффузным процессам в полупроводниках.
2.Что выражает соотношение Эйнштейна?
3.Что описывает уравнение непрерывности?
4.Опишите диффузию и дрейф неравновесных носителей заряда в примесном полупроводнике.
5.Что такое диффузная длина носителей заряда?
6.Что такое длина дрейфа носителей заряда?
7.Когда вводят термин «амбиполярный коэффициент диффузии»?
8.Что выражает амбиполярная дрейфовая подвижность?
9.В чем отличие между амбиполярной диффузной и дрейфовой подвижностями?
10.Дайте характеристику зависимости коэффициента амбиполярной диффузии от концентрации электронов.
11.Опишите диффузию и дрейф неравновесных носителей заряда в случае монополярной проводимости.
12.Что характеризует дебаевская длина экранирования
6. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

В этой главе проанализируем ряд фотоэлектрических явлений, возникающих в однородных полупроводниках, принимая во внимание особенности данных явлений в полупроводниковых кристаллах при сильном поглощении света, обусловленных пространственным распределением неравновесных носителей заряда с учетом неоднородного возбуждения вблизи поверхности и поверхностной рекомбинации. Рассмотрим проявление анизотропии кристалла в спектрах фотопроводимости, которая обусловливает поляризационную фоточувствительность и возникновение поперечного эффекта Дембера. Проанализируем закономерности фотомагнитоэлектрического эффекта и условия возникновения объемной фото-ЭДС в неоднородно легированном полупроводнике. Рассмотрим особенности фотоэлектрических явлений в варизонных полупроводниках (твердых растворах, состав которых плавно изменяется с координатой).

6.1. Распределение неравновесных носителей заряда в приповерхностной области кисталла

^Рассмотрим однородный полупроводниковый образец большой толщины, одну из поверхностей которого освещают светом с интенсивностью из области собственного поглощения полупроводника (рис.6.1). Найдем распределение носителей заряда в таком образце. Оказывается, что с учетом отражения через поверхность об^{разца пройдет только часть излучения , где –коэффициент отражения} поверхности, на которую падает свет. Вследствие поглощения интенсивность излучения, достигшего глубины , равна

где – коэффициент поглощения.


Свет
dx

0 ^x

Рис. 6.1. Определение концентрации неравновесных носителей заряда в образце, который освещается с одной стороны