Общие понятие о диссоцицации

Вещества, испаряющиеся без изменения состава, получили названия конгруэнтно сублимирующих (например, теллурид и селенид кадмия). Условная диаграмма подобной системы, например Сd—Те, приведена на рис.33. Конгруэнтно сублимирующие составы расположены внутри области гомогенности на линии kbт, Термодинамический потенциал образования соединений этого состава при постоянной температуре меньше, чем для любого другого состава внутри области гомогенноcти. Принципиальный ход зависимости термодинамического потенциала образования подобных соединений от состава показан пунктирными линиями. В вакууме и при давлениях меньших равновесных, кристаллы, находящиеся при температуре например составов, определяемых точками а или с, теряю избыток компонента за счет перехода его в паровую фазу до тех пор, пока не достигнут состава b.

• Вещества, испаряющиеся без изменения состава, получили названия конгруэнтно сублимирующих (например, теллурид и селенид кадмия). Условная диаграмма подобной системы, например Сd—Те, приведена на рис.33. Конгруэнтно сублимирующие составы расположены внутри области гомогенности на линии kbт, Термодинамический потенциал образования соединений этого состава при постоянной температуре меньше, чем для любого другого состава внутри области гомогенноcти. Принципиальный ход зависимости термодинамического потенциала образования подобных соединений от состава показан пунктирными линиями. В вакууме и при давлениях меньших равновесных, кристаллы, находящиеся при температуре например составов, определяемых точками а или с, теряю избыток компонента за счет перехода его в паровую фазу до тех пор, пока не достигнут состава b.

Константа равновесия реакции (5) При этом будет иметь вид: Кр = рCd/[Cdi][е]2

• Константа равновесия реакции (5) При этом будет иметь вид: Кр = рCd/[Cdi][е]2
• В области II протекают реакции, аналогичные рассмот­ренным для оксидов и сульфидов. Ведущими дефектами для области и будут вакансии в подрешетке кадмия. Если пре­небречь небольшим содержанием комплексных дефектов и при­нять, что при высоких температурах вакансии двухзарядны, то реакцию диссоциации в области и, связанную с перехо­дом теллура в газовую форму, можно записать как: VСd 2+ + 2е+ = 1/2 Те2.