Operatsion kuchaytirgich parametrlarini tadqiq etish. Operatsion kuchaytirgich asosidagi analog qurilmalarni tadqiq

t_ф t_тўп t_с ларни кириш кучланишига боғлиқлигини ўрганинг.

Иш банди	Улагич холати				У1-U HH
	У1-2	У3-4	У5-6	У16-20
4	1	4	5	19		U	6

5. 
   Чиқиш сигнали параметрларига С2 жадаллаштирувчи сиғим таъсирини ўрганинг. Бунинг учун илгариги ўлчашлардан t_тўп 1 мкс катта бўлган холларда иккита U_КИР кириш кучланиши қийматларини танланг. Жадаллаштирувчи С2 конденсаторни У3-4 улагич ёрдамида улаб (У3-4 улагич “3” холатда ўтказилган холда), t_ф, t_тўп, t_с ларни ўлчанг.
   

   Иш

   Улагич холати

   У1-U HH

   банди	У1-2	У3-4	У5-6	У16-20
   5	1	3	5	19	U	5

6. 
   Юклама конденсатори С3 сиғими қийматининг чиқиш сигнали давомийлигига таъсирини ўрганинг. Бунинг учун R_К=R6 ва R_K=R7 (У16-20 улагич 18/19 холатларда) бўлганда, С3 конденсатор уланганда ва уланмаганда (У5-6 улагич 6-5 холатларда) t_c ни ўлчанг.
   

Иш банди	Улагич холати				У1-U HH
	У1-2	У3-4	У5-6	У16-20
6	1	4	6/5	18/19		U	5

5. 
   Коллектор занжирида резистор қийматлари турлича бўлганда инвенторнинг узатиш характеристикасини ўлчанг.
   

Бунинг учун G2 созлагич билан база кучланишини ўзгартириб ва НН4-га уланган ўлчов асбоблари ёрдамида уни назорат этиб, НН5-га уланган ўлчов асбоби билан коллектор эмиттер кучланишини ўлчанг.

Иш банди	Улагич холати				У1-U HH
	У1-2	У3-4	У5-6	У16-20
7	1	3	5	16..20		U	4/5

Ҳисобот мазмуни:

• 
  ишнинг номи.
  
• 
  амалиёт иш макети принципиал схемасининг чизмаси.
  
• 
  бажарилган ишнинг хар бир босқичи учун босқич номи ва олинган натижалар (жадвал, график ва осцилограмма кўринишида).
  
• 
  олинган натижалар бўйича қисқача хулоса.
  

Назорат саволлари

1. 
   Транзисторли калитнинг қўлланиш жойларини айтинг.
   
2. 
   Транзисторли калитнинг параметрларини аниқланг.
   
3. 
   Ўтиш жараёни параметрларини транзисторнинг тўйиниш даражасига боғлиқлигини тушунтиринг.
   
4. 
   ТК инверс беркилиши деб нимага айтилади.
   
5. 
   Жадаллаштирувчи сиғим қандай таъсир кўрсатади?
   
6. 
   Ўтиш жараёнига юклама сиғимининг таъсири.
   
7. 
   ТК параметрларига кириш сигнали амплитудасининг таъсири.
   
8. 
   Вақт диаграммаси асосида транзисторли калитда ўтиш жараёнларини тушунтиринг.
   

Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalarni tadqiq etish

Ishning maqsadi: Maydoniy tranzistor (MT)larni kalit rejimida ishlash xossalarini o‘rganish. MTni yuklama rezistori sifatida qo‘llanilishini o‘rganish.

1. 
   Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:
   

Bu ishni bajarishda stok toki zanjiridagi qarshilik qiymatining uzatish xarakteristikasi ko‘rinishiga ta’sirini o‘rganib chiqing. Kvazi chiziqli yuklama sifatida turli maydoniy tranzistorlar qo‘llanilganda uzatish xarakteristikalar turlicha bo‘lishiga ahamiyat bering.
Mantiqiy signallar sathlarini aniqlashda kalitning uzatish xarakteristikasi
U_CHIQ=f(U_KIR) dan foydalanilishiga e’tibor bering. (13.1- rasm)

13.1 – rasm. Kalitning uzatish xarakteristikasi

Mantiqiy nol U⁰ hamda mantiqiy bir U¹ sathlar uzatish xarakteristikasi va uning ko‘zguli aksi (punktir chiziq) kesishgan nuqtalardan aniqlanadi.
_ΛU = U¹ – U⁰ mantiqiy signallarning sathlar farqi deb ataladi.

2. 
   Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
   
   1. 
      MT da yasalgan kalit uzatish xarakteristikasiga yuklama qarshiligining ta’sirini U_CHIQ=f(U_KIR) tadqiq etish.
      

n- turdagi kanali induksiyalangan MDYA tranzistorda bajarilgan kalit sxemasi 13.2- rasmda keltirilgan. Sxema Е2 = 9V manbadan ta’minlanadi. Kirish kuchlanishi U_KIR roslanuvchi Е1 kuchlanish manbaidan beriladi. Chiqish kuchlanishi U_CHIQ va iste’mol qilinayotgan tokni o‘lchash uchun raqamli voltmetr va ampermetrlardan foydalaning. VT1 sifatida K176LP1 mikrosxemadagi n- kanalli tranzistorlarning birini oling. Ishlash qulay bo‘lishi uchun ilovada keltirilgan mikrosxema prinsipial sxemasini chizib oling va elektrodlari raqamlarini belgilab oling.
Tajribani quyidagi tartibda olib borish tavsiya etiladi:

13.2 – rasm. . n -MDYA tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasi. (Yuklamada rezistor)

13.3 – rasm. n -MDYA tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasi. (Yuklamada tranzistor)

13.4 – rasm. VT1 va VT2 lar sifatida K176LP1 mikrosxemadagi ixtiyoriy komplementar tranzistorlar juftligi yoki alohida kalit sxemasi

MDYA tranzistor stok zanjiriga chiziqli rezistor R=51 кОм ni ulang;

• 
  kuchlanish manbai qiymatini Е2=9 V qilib o‘rnating;
  
• 
  kirish kuchlanishini 0 dan 9V gacha o‘zgartirib borib, U_CHIQ=f(U_KIR) va
  

I_IST=f(U_KIR) bog‘liqligini o‘lchang;

• 
  qarshilikning R=10 kOm va 3,5 kOm qiymatlari uchun o‘lchashlarni takrorlang;
  
• 
  ^{tajriba natijalaridan foydalanib U}CHIQ^=f(UKIR^{) bog‘liqlik grafiklarini quring.}
  

2. 
   n - MDYA tranzistorlarda yasalgan kalit uzatish xarakteristikasini tadqiq etish. n -MDYA tranzistorlarda yasalgan kalitni tadqiq etish sxemasi 13.3 – расмда keltirilgan. VT1 va VT2 tranzistorlar sifatida K176LP1 mikrosxemadagi ixtiyoriy
   

tranzistorlarni yoki alohida kalit sxemasini oling.
2.1 – banddagi tajribalarni takrorlang.

3. 
   KMDYA tranzistorlarda yasalgan kalit uzatish xarakteristikasini tadqiq etish.
   

KMDYA tranzistorlarda yasalgan kalitni tadqiq etish sxemasi 13.4 – rasmda keltirilgan. VT1 va VT2 tranzistorlar sifatida K176LP1 mikrosxemadagi ixtiyoriy komplementar tranzistorlar juftligi yoki alohida kalit sxemasini oling.

1. 
   – banddagi tajribalarni takrorlang.
   

3. 
   Tajribada olingan natijalarni ishlash.
   
   1. 
      2- bandda olingan uzatish xarakteristikalarni quring.
      
   2. 
      Har bir kalit uchun mantiqiy signal U⁰ va U¹ sathlari va mantiqiy signallar sathlar farqi _ΛU = U¹ – U⁰ ni aniqlang.
      

Olingan natijalarni 13.1 – jadvalga kiriting.
13.1 – jadval

Parametr Yuklama turi	U^0, В	U^1, В	Λ^U,^В	^PO‘RT^, mV
Қаршиликли юклама
Rю=51кОм
Rю=10кОм
Rю=3,5кОм
n – МДЯ (p-МДЯ) транзисторли калит

3. 
   Mantiqiy nol va mantiqiy bir holatlarida manbadan iste’mol qilinayotgan quvvatning o‘rtacha qiymatini aniqlang:
   

Hisobot mazmuni.

• 
  o‘lchash sxemalari;
  

^PЎРТ
 ¹ P ⁰  P¹ _;
2
_P0,1 _{ I}
ИСТ

0,1

Е

.
М

• 
  olingan bog‘liqliklar jadvallari va grafiklari;
  
• 
  o‘lchash va hisob natijalarining tahlili.
  

Nazorat savollari.

1. 
   Yuklama sifatida qarshilik ulangan kalit parametrlarining yuklamadagi qarshilik qiymatiga bog‘liqligini tushuntiring.
   
2. 
   Nima sababli KMDYA tranzistorlarda yasalgan kalit statik holatlarda manbadan quvvat iste’mol qilmaydi ?
   

TTM integral sxemasini tadqiq etish

Ishning maqsadi: Tranzistor – tranzistor mantiq integral sxemasi elektr parametrlarini tadqiq etish

1. 
   Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:
   

Bu ishni bajarishda mantiqiy mikrosxemalar asosiy elektr parametrlarining fizik ma’nosiga va o‘lchash uslublariga, hamda tranzistor – tranzistorli mantiq (TTM)ning sxemotexnik xossalariga e’tibor qaratish kerak. Statik parametrlar uzatish xarakteristikasi (U_CHIK=f(U_KIR)) grafigi yordamida (14.2 - rasm) aniqlanishi mumkin.
Avval uzatish xarakteristikasidan 14.1 - rasm) mantiqiy nol U⁰ va mantiqiy bir U¹ sathlari (xarakteristikaning uning ko‘zguli aksi bilan tutashgan A va В nuqtalaridan aniqlanadi), so‘ngra 14.2 – rasmdagi grafikdan I⁰_KIR и I¹_KIR aniqlanib olinadi.

14.1 – rasm. TTM mantiqiy elementini uzatish xarakteristikasi

^14.2 – rasm. Uzatish xarakteristikasidan I0KIR ^i^I1KIR ^qiymatlarini^aniqlash

n n
Grafik yordamida (14.1 – rasm) IMS statik shovqinlarga bardoshligi U_n=min (U⁺ ,U^– ) aniqlanadi. (S va D nuqtalarda urinma 45° burchak ostida o‘tishini eslatib o‘tamiz).
Mikrosxema tezkorligi signal tarqalishining o‘rtacha vaqti bilan aniqlanadi:

^t ўрт.кеч
^{ 1 t 0,1}кеч
2
^{ t1,0} кеч ^_,

bu yerda t^0,1_kech va t^1,0_kech – impuls amplitudasining 0,5 darajasida o‘lchanadigan, impuls oldi va orqa frontlarining o‘rtacha kechikish vaqti.
Mikrosxema tejamkorligi o‘rtacha iste’mol quvvati (nol va bir holatlarda) bilan baholanadi:

^Pўрт
 ¹ P ⁰  P¹ _.
2

Mikrosxemaning intergal sifatini ulanish ishining sun’iy parametri belgilaydi:
^Aузатиш ^{ t}ўрт.кеч ^Pўрт ^.

Laboratoriya ishida tarkibida 4 ta 2YOKI–EMAS sxemasi bo‘lgan K155LAZ yoki K555LAZ mikrosxemasi qo‘llaniladi. Tadqiq etilayotgan mikrosxema prinsipial sxemasi, chiqishlarning joylashishi va asosiy elektr parametrlari ilovada keltirilgan.

Ishni bajarishga tayyorshgarlik ko‘rish jarayonida ilovada keltirilgan IMS sxemasi va parametrlari hisobotga kiritilishi lozim.

2. 
   Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
   

1. 
   Mikrosxemaning uzatish va kirish xarakteristikalarini o‘lchash.
   

1. 
   K155LA3 mikrosxemada mavjud to‘rtta 2 YOKI - EMAS elementlarning ixtiyoriy biridan foydalanib, 14.3 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing (misol
   

tarikasida bir sxemaning chiqishlari tartibi keltirilgan).

3. 
   – rasm. O‘lchash sxemasi.
   

IMS kirishlaridan biriga kirish kuchlanishi bering, ikkichisiga (ishlatilmayapganiga) esa manbaning “+” qutbini ulang. YE1 kirish kuchlanishini 0...5 V oarlig‘da o‘zgartirib borib kirish I_KIR=f(U_KIR) hamda uzatish xarakteristikasini U_CHIQ=f(U_KIR) o‘lchang. O‘lchash natijalarini jadvalga kiriting.

2. 
   U_KIR=U⁰ ≈ 0,4 V bo‘lganda va U_KIR=U¹ 2,4 V bo‘lganda mos ravishda iste’mol I⁰_ist. va I¹_ist. toklarini o‘lchang (U⁰ va U¹ sath qiymatlari pasport ko‘rsatmalaridan olinadi).
   

2. 
   Mikrosxema yuklama qobiliyatini o‘lchash.
   

Oldingi bandda tadqiq etilgan sxemadan foydalaning. IMS kirishiga pasport ko‘rsatmasidagi mantiqiy nol qiymatini U_kir=0,4 V bering. IMS chiqishiga yuklama qarshiliklari: R_Ю=10к Ом, 1 кОм, 470 Ом, 100 Ом berib, yuklama chiqish xarakteristikasini U_CHIK=f(R_Ю) o‘lchang.

3. 
   Mantiqiy mikrosxema tezkorligini tadqiq etish.
   

3. 
   – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing. O‘lchashni sosnlashtirish maqsadida kechikish vaqtini uzaytirish maqsadida to‘rtta mikrosxema ketma – ket ulangan (olingan natijani to‘rtga bo‘lish kerakligi yoddan ko‘tarilmasin).
   

Kirish (A nuqta) va chiqish (V nuqta) ga ossilografni ulang. Bu vaqtda IMS chiqishiga ossilograf pultida o‘rnatilgan kuchlanish bo‘luvchisi 1:10 orqali ulanishi kerak. Bu holat ulanish kabeli sig‘imi va ossilograf ta’sirini 10 marotabaga kamaytirishga imkon beradi. (Kirish zanjiri past omli bo‘lgani uchun, bu yerda bu xolat talab etilmaydi).
Kirishga amplitudasi 5 V va chastotasi 1 kGs bo‘lgan to‘g‘ri burchakli impulslar beriladi. Oldi va orqa frontlarning kechikish vaqtlarini (t^0,1_kech , t^1,0_kech) aniqlang.

14.4 – rasm. O‘lchash sxemasi.

3. 
   Tajribada olingan natijalarni ishlash.
   
   1. 
      2.1 – banddagi o‘lchash natijalari bo‘yicha U_CHIK=f(U_KIR) va I_KIR=f(U_KIR) bog‘liqliklar grafiklarini chizing va asosiy parametrlarni aniqlang: U⁰, U¹, I⁰_KIR, I¹_KIR, U_М⁺, U_М^-, U_М.. O‘rtacha iste’mol quvvatini Р_o‘rt hisoblang.
      
   2. 
      Signal tarqalishidagi o‘rtacha kechikish vaqti t_kech.o‘rt hamda qayta ulanish ishini А_ul hisoblab toping.
      
   3. 
      2.2 – bandda o‘lchangan chiqish kuchlanishining yuklamaga bog‘liqlik grafigini U¹_CHIK=f(R_Ю) quring. Grafikda kuchlanish pasayishinining pasport ko‘rsatmasidagi qiymati U¹_CHIK=2,4 V ga mos keluvchi yuklamaning R_Ю..min qiymatini belgilang.
      

Hisobot mazmuni.

• 
  ilovada keltirilgan K155LA3 mikrosxema pasport ko‘rsatmalari;
  
• 
  o‘lchash natijalari jadvallari va bog‘liqliklar grafiklari;
  
• 
  olingan IMS parametrlari qiymatlari.