O’zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti qarshi filiali

3. h parametrlarni hisoblash:

1. h11E parametr - tranzistorning kirish differensial qarshiligini hisoblash:

𝑈𝐾𝐸=𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡; Bu yerda: Δ𝑈𝐵𝐸=𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑎𝑥−𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑖𝑛va Δ𝐼𝐵=𝐼𝐵.𝑚𝑎𝑥−𝐼𝐵.𝑚𝑖𝑛;

Δ𝑈𝐵𝐸=𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑎𝑥−𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑖𝑛=0,536−0,51=0,026𝑉;

Δ𝐼𝐵=𝐼𝐵.𝑚𝑎𝑥−𝐼𝐵.𝑚𝑖𝑛=140−40=100𝑚𝑘𝐴;

2. h12E parametr - tranzistorning Kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa koeffitsiyentini hisoblash:




Δ𝑈𝐾𝐸=𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥−𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛;

Δ𝑈𝐵𝐸=𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑎𝑥−𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑖𝑛=0,527−0,52=0,027𝑉;

Δ𝑈𝐾𝐸=𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥−𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛=10−0=10𝑉;



3. h21B parametr - tranzistorning tok bo‘yicha differensial uzatish koeffitsiyentini hisoblash:

Δ𝐼𝐾=𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥−𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛;

Δ𝐼𝐵=𝐼𝐵.𝑚𝑎𝑥−𝐼𝐵.𝑚𝑖𝑛=200−25=175𝑚𝑘𝐴;

Δ𝐼𝐾=𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥−𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛=16-6=10𝑚𝐴;

4. h22B parametr - tranzistorning differensial o‘tkazuvchanligini hisoblash:

Δ𝑈𝐾𝐸=𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥−𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛;

Δ𝐼𝐾=𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥−𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛=12−8=4𝑚𝐴;

Δ𝑈𝐾𝐸=𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥−𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛=12−10=2𝑉;

Nazorat savollari:

1. BT UE ulanish sxemada ishlash prinsipi, emitter va kollektor p-n o‘tishlar, baza sohasi ahamiyati haqida gapirib bering.

2. Emitter toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo‘nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko‘rsating.

3. Baza toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo‘nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko‘rsating. IKB0 va IKE0 qanday toklar? Ular qaysi zaryad tashuvchilar harakati bilan hosil bo‘ladi?

4

Javoblar

1.Bipolyar transistor deb o’zaro ta’sirlashuvchi 2 ta p-n o’tish va 3 ta elektrodga ega yarimo’tkazgichga aytiladi.

2.

p-n o’tish

3.I_К = (α/1- α) I_Б + (1/1- α) I_К0 agar β= (α/1- α) qilib belgilsask I_К = β I_Б + (β+1) I_К0 ifoda quyidagi ko;rishga keladi.b baza tikining koefitsiyenti dwyiladi.