O‘zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari

rasm. Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash prinspial sxemasi

2. 
   rasm. Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari oilasini o‘lchash prinspial sxemasining NI Multisim dasturiy muhitida yig‘ilgan holati
   

1 – jadval. UE ulanish sxemasidagi BT ning kirish xarakteristikalari oilasi:

1-jadval

Ukb=0		0	20	40	60	80	100	120	140	160	180	200
		0	0,45	0,47	0,48	0,49	0,5	0,505	0,51	0,513	0,516	0,52
Ukb=10		0	20	40	60	80	100	120	140	160	180	200
		0	0,49	0,5	0,51	0,52	0,527	0,53	0,536	0,54	0,545	0,55

2 – jadval. UE ulanish sxemasidagi BT ning chiqish xarakteristikalari oilasi:

		0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
		0	0,96	1,92	2,88	3,85	5,77	7,7	9,61	12,1	13	15
		0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
		0	0,99	2	2,9	3,9	5,8	7,8	10	12,9	13,9	15,9
		0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
		0	1	2,3	2,88	4,2	5,9	7,9	10,2	12,99	14	16

Olingan natijalarga ishlov berish:



Kirish xarakteristikasi oilasi (KXO) IB=f(UBE) bunda UKE=0 va 10 V.



Chiqish xarakteristikasi oliasi (ChXO) IK=f(UKE) bunda IB=25;150 va 200mkA.

3. h parametrlarni hisoblash:

1. h11E parametr - tranzistorning kirish differensial qarshiligini hisoblash:

𝑈𝐾𝐸=𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡; Bu yerda: Δ𝑈𝐵𝐸=𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑎𝑥−𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑖𝑛va Δ𝐼𝐵=𝐼𝐵.𝑚𝑎𝑥−𝐼𝐵.𝑚𝑖𝑛;

Δ𝑈𝐵𝐸=𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑎𝑥−𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑖𝑛=0,536−0,51=0,026𝑉;

Δ𝐼𝐵=𝐼𝐵.𝑚𝑎𝑥−𝐼𝐵.𝑚𝑖𝑛=140−40=100𝑚𝑘𝐴;

2. h12E parametr - tranzistorning Kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa koeffitsiyentini hisoblash:




Δ𝑈𝐾𝐸=𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥−𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛;

Δ𝑈𝐵𝐸=𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑎𝑥−𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑖𝑛=0,527−0,52=0,027𝑉;

Δ𝑈𝐾𝐸=𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥−𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛=10−0=10𝑉;



3. h21B parametr - tranzistorning tok bo‘yicha differensial uzatish koeffitsiyentini hisoblash:

Δ𝐼𝐾=𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥−𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛;

Δ𝐼𝐵=𝐼𝐵.𝑚𝑎𝑥−𝐼𝐵.𝑚𝑖𝑛=200−25=175𝑚𝑘𝐴;

Δ𝐼𝐾=𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥−𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛=16-6=10𝑚𝐴;

4. h22B parametr - tranzistorning differensial o‘tkazuvchanligini hisoblash:

Δ𝑈𝐾𝐸=𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥−𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛;

Δ𝐼𝐾=𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥−𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛=12−8=4𝑚𝐴;

Δ𝑈𝐾𝐸=𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥−𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛=12−10=2𝑉;

Nazorat savollari:

1. BT UE ulanish sxemada ishlash prinsipi, emitter va kollektor p-n o‘tishlar, baza sohasi ahamiyati haqida gapirib bering.

2. Emitter toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo‘nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko‘rsating.

3. Baza toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo‘nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko‘rsating. IKB0 va IKE0 qanday toklar? Ular qaysi zaryad tashuvchilar harakati bilan hosil bo‘ladi?

4

Javoblar

1.Bipolyar transistor deb o’zaro ta’sirlashuvchi 2 ta p-n o’tish va 3 ta elektrodga ega yarimo’tkazgichga aytiladi.

2.

p-n o’tish

3.I_К = (α/1- α) I_Б + (1/1- α) I_К0 agar β= (α/1- α) qilib belgilsask I_К = β I_Б + (β+1) I_К0 ifoda quyidagi ko;rishga keladi.b baza tikining koefitsiyenti dwyiladi.

Xulosa

Men bu laboratoriyani qilish jarayonida Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish

Bilan tanishdim 2 qismda parametrlar hisoblanib grafiklar chizildi.Bundan tashqari grafilar yordamida H parametrlarning qiymatlari hisoblab topildi.