O‘zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al‑xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti elektronika va radiotexnika kafedrasi Mustaqil ish -2

III. Хулоса

ЯРИМЎТКАЗГИЧЛАР — электр токини яхши ўтказувчи моддалар (ўтказгичлар, асосан, металлар) ва электр токини амалда ўтказмайдиган моддалар (диэлектриклар) орасидаги оралиқ вазиятни эгаллайдиган моддалар. Менделеев даврий системасида II, III, IV, V ва VI гуруҳларда жойлашган кўпчилик элементлар. уларнинг бир қатор бирикмалари Яримўтказгичлар жумласига киради.

Ярим ўтказгичлар тайёрлаш технологияси
Табиатда кремний фақат оксидланган ҳолда учрайди. Техник кремний, кремний икки оксидини (SiO₂) электр ёйида тиклаш йўли билан олинади. Бу кремний 1 % киритмага эга бўлиб, ярим ўтказгич сифатида қўлланилиши мумкин эмас. У соф кремнийли ярим ўтказгич олиш учун дастлабки хом ашё ҳисобланади. Яроқли ярим ўтказгич асбобларнинг чиқиш фоизи, асосан ярим ўтказгични бегона киритмалардан тозалаш даражасига боғлиқ. Кўпчилик ярим ўтказгич асбобларни ясашда (транзисторлар, диодлар) махсус тозаланган монокристалл материаллар қўлланилади. Фото ва терморезисторларда ярим кристалл аморф моддалар қўлланилади.

Яримўтказгичларда ҳам металлардаги каби электр ўтказувчанлик электронларнинг ҳаракати туфайли юзага келади. Бироқ электронларнинг ҳаракатланиш шароитлари металлар ва Яримўтказгичларда турлича бўлади. Яримўтказгичлар қуйидаги асосий хусусиятларга эга: Я. нинг электр ўтказувчанлиги т-ра кўтарилиши билан ортиб боради (мас, т-ра 1 К га ортганда Яримўтказгичларнинг солиштирма ўтказувчанлиги 16—17 марта ортади); Я. нинг электр ўтказувчанлигида эркин электронлардан ташқари атом билан боғланган электронлар ҳам иштирок этади (баъзи ҳолларда боғланган электронлар асосий роль ўйнайди); соф Яримўтказгичларга оз микдорда қўшилма киритиб, унинг ўтказувчанлигини кескин ўзгартириш мумкин (мас, 0,01% қўшилма киритилганда Яримўтказгичларнинг ўтказувчанлиги 10000 марта ортиб кетади).

Паст траларда Яримўтказгичларнинг солиштирма қаршилиги жуда катта бўлади ва амалда улар изолятор ҳисобланади, лекин т-ра ортиши билан уларда заряд ташувчиларнинг концентрацияси кескин ортади. Мас, соф кремнийда 20° трада эркин электронлар концентрацияси ~1017 м~3 бўлса. 700° да 1024 м»3 гача, яъни миллион мартадан кўпроқ ортади. Яримўтказгичларда эркин электронлар концентрациясининг трага бундай кескин боғликлиги ўтказувчанлик электронлари иссиқлик ҳаракати таъсирида ҳосил бўлишини кўрсатади. Яримўтказгич кристаллда атомлар валент электронлари ёрдамида ўзаро боғланган. Атомларнинг иссиқлик тебранишлари вақтида иссиқлик энергияси валент электронлар орасида нотекис тақсимланади. Айрим электронлар ўз атоми билан боғланишни узиб, кристаллда эркин кўчиб юриш имконини берадиган етарли миқдордаги иссиқлик энергиясига эга бўлиб қолиши ва эркин электронларга айланиши мумкин.