O‘zbekiston respublikasi oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligi oliy ta’lim tizimi pedagog va rahbar kadrlarini qayta tayyorlash va ularning malakasini

Omik kontakt olish us ullari. Hozirgi zamon yuqori samarali fotoqabullagichlar va QE ishlab chiqarishda ( asosan kremniyli quyosh elementlarda) ko‘p qatlamli kontaktlar ishlatiladi. R-tip kristalli kremniy asosidagi quyosh elementlarida Al, Ti, Pd, Ag (koinotda ishlatiladigan elementlarda), p-tip asosidagi uchun esa, Ti, Pd, Ag ishlatiladi. Erda ishlatiladigan quyosh elementlari uchun nisbatan arzonroq turadigan materiallar asosidagi quyidagi kontakt tizimlari ishlatiladi; r-tip uchun Al, Ti, Ni, Cu, p-tip materiali uchun, Ti, Ni, Cu. Kontaktlar sirti keyin POS-61 yordamida qalaylanadi. Eng arzon va oddiy texnologiya bilan olinadigan kontaktlarda material sifatida Sn va Al dan foydalaniladi.

Omik kontaktlar olish asosan vakuumda uchirish, elektroximik o‘tkazish usuli, ximik olish usuli va termik usullarni qo‘llashdan iborat. YUqoridagi texnologik jarayonlaridan birini ishlatish uchun avvaliga kvaziomik yoki omik kontakt olish uchun kerak bo‘lgan asosiy talablarni ko‘rib o‘tamiz. 1) Metall-yarim o‘tkazgichli material chegarasida qarshilikni kamaytirish uchun zaryad tashuvchilarning tunnel usuli bilan oqib o‘tishini ta’minlash maqsadida o‘ta legirlangan chegaraviy qatlam hosil qilish; 2) Termoelektron tok oqib o‘tish mexanizmini boshqarish uchun metalldagi chiqish ishi F_M va yarim o‘tkazgichdagi elektronga moyillikning mushtarak qiymatlarini tanlab chegaradagi F_b bar’er kattaligini boshqarish
3) ionli implantatsiya, mexanik ishlov yoki elektrik ishlov berish yo‘li bilan yarim o‘tkazgichli material yuzasida nuqsonlar hosil qilib, tunnel to‘siqlar hududida energetik holatlar hosil qilish.
Yuza qatlamdagi kirishmalarning o‘ta yuqori konsentratsiyasini hosil qilish uchun quyidagi usullardan qo‘llaniladi.

1. 
   Qattik jismli diffuziya manba’idan yoki bug‘ fazasidan yuqori haroratda diffuziya jarayonini o‘tkazish.
   
2. 
   Kontakt materialning o‘zidan diffuziya o‘tkazish, misol Zn ning Au-Zn-Au dan InP ga diffuziyasi.
   
3. 
   Ionli implantatsiya jarayonidan keyingi termik ishlov usuli.
   
4. 
   p⁺ va r⁺ -qatlamlarni epitaksial usul bilan o‘stirish.
   
5. 
   Kontakt materialini yarim o‘tkazgich bilan birgalikda termik eritish (splavlenie) va rekistallizatsiya (qayta kristallanish) qilish.
   

So‘nggi usul suyuq fazali epitaksiya usuliga o‘xshash bo‘lib, erituvchi metall tanlanganda uning yarim o‘tkazuvchi materialda eritish qobiliyati hisobga olinadi. Legirlovchi kirishma erituvchi tarkibida bo‘lishi mumkin, yoki maxsus vosita bilan kiritiladi. Bunday eritma sovuganda yarim o‘tkazgich kristallanish jarayonini o‘tadi va qayta hosil bo‘lgan qatlam eritmadan o‘ta legirlanadi.