O‘zbekiston respublikasi oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligi oliy ta’lim tizimi pedagog va rahbar kadrlarini qayta tayyorlash va ularning malakasini

Quyosh elementlariga kontakt olish jarayoni marshruti

Kontakt olish jarayonining asosiy operatsiyalarini ketma-ketligini quyidagilardan iborat.

• 
  Si r-p tuzilmasini kontakt olishga tayyorlash (ximik yoki ximik-mexanik usul bilan kontakt olinadigan yuzani tozalash),
  
• 
  strukturaga fotorezist o‘tqazish,
  
• 
  fotoshablon yordamida kontakt rasmini tushirish,
  
• 
  fotorezistni mustahkamlash,
  
• 
  vakuum qurilmasidan foydalanib ketma-ketlik bilan kontakt materiallarini uchirish,
  
• 
  kontakt adgeziyasini yaxshilash uchun kontaktga issiqlik bilan ishlov berish,
  
• 
  fotorezistni yuzadan olib tashlash,
  
• 
  kontakt kesim yuzasini oshirish uchun qalaylash,
  
• 
  frontal yuzadan nur qaytarishini kamaytirish uchun uni oksid bilan qoplash,
  
• 
  QE tuzilmasidan shunt beradigan qismlarni kesib olib tashlash,
  
• 
  QE ning parametrlarini o‘lchash.
  

QE frontal qismidagi yupqa diffuzion jarayon orqali hosil qilingan fosfor kirishmali qatlam odatda katta yuza qarshiligiga ega bo‘ladi va uning qiymati odatda 50-100 Om/. Bunday qarshilikni kamaytirish va tuzilma samaradorligini saqlash uchun tashqi (frontal) yuzaga to‘rsimon (setka) kontakt olinadi. Bu kontakt birinchidan yuzani ko‘p to‘smasligi, ikkinchidan omik bo‘lishi, uchinchidan yupqa diffuzion qatlamni teshmasligi kerak. Rasm.20,21

Rasm. 2 Kremniy quyosh elementining frontal kontakt ko‘rinishiga oid misol. 1- yuzadagi to‘rsimon kontakt (ko‘p qatlamli + pripoy), 2 – shaffoflantiruvchi qatlam, 3 – legirlangan p-tipdagi yupqa qatlam (0,2 mkm), 4 – 0,5 mkm qalinlikdagi xajmiy zaryad qatlami, 5 – 200 mkm qalinlikdagi baza qatlami, 6 – 0,5 mkm qalinlikdagi r⁺ - qatlam, 7 – orqa tomondagi kontakt qatlami, 8 – tok jamlovchi shina, 9 – to‘rsimon tok jamlovchi shina.

Rasm 3 Tipik kremniy asosidagi quyosh elementiga oid energetik zonali diagramma; p-qatlam o‘lchami kattalashtirilgan. 1 – orqa tomonga yaqin qismdagi elektr maydoni.
Izlanishlar natijasi shuni ko‘rsatadiki, odatda yuzada mikroskopik kattalikdagi teshilgan uchastkalar hosil bo‘lishi mumkin (yupqa diffuzion qatlamlar olinganda) va bunday hollarda R_sh qarshiligi kamayishi va I_o ning qiymati ortishi mumkin. Buning oldini olish maqsadida kontakt olinadigan yuzaga metall maskalar yoki polimer materialdan qilingan va kontakt rasmi tushirilgan fotorezist maskalar yordamida yoki akslanishni kamaytiruvchi qatlamlar ustiga kontakt olinadi. Kontaktning geometrik shakli (topologiyasi) kontakt olinadigan yuza kattaligiga, diffuzion qatlamning qalinligiga va QE larining qaysi sharoitda ishlashiga qarab tanlab olinadi. Odatda yuzaga tushayotgan nurni yulini to‘smaslik uchun yuzani to‘sish koeffitsientining kattaligi 10 % dan oshirmaslikka harakat qilinishi kerak. Konsentrlashtirilgan (zichlashtirilgan) quyosh nurlari bilan ishlaydigan QE larda esa yuzani to‘sish koeffitsienti quyosh nurini zichlashtirish koeffitsientiga bog‘lik bo‘lib, ayrim hollarda u 50 % oshiqroq bo‘lishi ham mumkin.

2.