O‘zbekiston respublikasi oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligi oliy ta’lim tizimi pedagog va rahbar kadrlarini qayta tayyorlash va ularning malakasini

P
iroliz usuli bilan akslanishni kamaytiruvchi qatlamlar olish
Piroliz usuli balan akslanish9ni kamaytiruvchi qatlamlar olish usulini SnO₂ misolida ko‘rib o‘tamiz. SnO₂ asosidagi akslanishni kamaytiruvchi qatlamning yaxshi tomonlaridan biri uning legirlash imkoniyati mavjudligidadir. Natijada uning elektr tokiga qarshiligini minglab marotaba o‘zgartirish mumkin. Bu birikma ximiyaviy ta’sirga o‘ta chidamlidir. Bu qoplamani olish texnologiyasi Sncl₂ va Sncl₄ birikmalaridan 450-600 ^oS da piroliz qilishga asoslangan. 26- Rasmda SnO₂ ni piroliz qilish usuli ko‘rsatilgan. Bu oksid tarkibiga p-tip material olish uchun ftor (G‘) va r-tip material olish uchun surma (Sb) kiritiladi.Natijada keltirilgan sirt qarshiligini 10 Om/□ gacha tushirish mumkin. SHishaga olingan qalay oksidi tahlili shuni ko‘rsatadiki qalinligi 750-1100 ^oA bo‘lganda ham shaffoflik koeffitsientini 95 % etkazish mumkin. +arshilikni kamaytirish hisobiga esa QE ga olinadigan kontaktni bevosita akslanishni kamaytiruvchi qoplama ustiga olish imkoniyati tug‘iladi.
Qatlamlarni termik ishlov berish usuli bilan olish eng ko‘p ishlatiladigan usul bo‘lib, bu usul mikroelektronikada tuzilmalar sirtini passivatsiya qilishda ko‘p ishlatiladi. Termik usulni asosan SiO₂ olishda ishlatiladi. Bu usulning asosi texnologik jarayon davomida kremniyli tuzilmaning sirtini kislorod ta’sirida okislanishidadir. Haroratning kattaligiga qarab va jarayon sharoitiga qarab kremniy oksidi xususiyatlari o‘zgarishi mumkin. Usul shartli ravishda ikkiga bo‘linadi, a) «quruq» usul va b)»ho‘l» usulga. Bu usullar orasidagi farq jarayon haroratining qiymati va jarayonni o‘tkazilish sharoitidadir. «quruq» usulni o‘tkazish jarayoni 1100 ^oS va undan ortiq haroratda olib boriladi, «ho‘l» usulda harorat 200 ^oS gacha pastroq haroratda qo‘shimcha kislorod atmosferasida olib boriladi. Ayrim hollarda kislorodga qo‘shimcha suv bug‘i ham beriladi. Bu usul bilan olingan qatlamlar mikroelektronikada quyidagi vazifalarni bajarishi mumkin.

1. 
   Fotolitografik jarayonda «niqob» (maska) sifatida ishlatilib, kontakt olishda qo‘llaniladi.
   
2. 
   QE larida akslanishni kamaytiruvchi qatlam sifatida ishlatiladi.
   
3. 
   Ayrim kremniy tuzilmalarida yuzani passivatsiya va ixota qiluvchi qatlam sifatida ishlatilishi mumkin.
   

Qoplamalarning qalinligi ko‘p jihatdan texnologik jarayon sharoitiga va haroratga bog‘lik bo‘lib, ularni nazorat qilish muhim ahamiyat kasb etadi.
Savollar

1. 
   Kremniy oksidi aralashmasi SiO_x ning sindirish ko‘rsatkichi 1,6-1,8 ga tengdir. Optika qonunlariga asosan uning qoplamadagi qalinligi qancha bo‘lish kerak ?
   
2. 
   Omik kontaktga qo‘yiladigan talablar qanday ?
   
3. 
   Yuza qatlamdagi kirishmalarning o‘ta yuqori konsentratsiyasini hosil qilish uchun qanday usullardan qo‘llaniladi ?
   
4. 
   Kontakt olish jarayonining asosiy operatsiyalarini ketma-ketligini nimalardan iborat.
   

Foydalanilgan adabiyotlar.

1. 
   Shenalin A.E. Novaya energetika. Moskva – 2001 g.
   
2. 
   Berkovskiy M.B., Kuzminov I.I. Vozobnovlyaemo‘e vido‘ energii. Moskva – 2000 g.
   
3. 
   Ilin N.N. Sovremennыe problemы energetiki. Leningrad – 2002 g.
   
4. 
   B. Dj. Brinkvort. Solnechnaya energiya dlya cheloveka. Izdatelstvo «Mir». Moskva – 2003 g.
   
5. 
   Jurnal. «Ekonomicheskoe obozrenie». №3. 2005 g.
   

3.