O`zbekiston respublikasi oliy ta`lim varizligiga qarashli muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari unversiteti farg`ona Filiali laboratoriya ishi bajardi: Tursunaliyev Erkinjon

IБ=25 мкА	UКЭ, В	0	1	2	3	4	6
	IК, мА	0	0.897	1.839	2.16	2.193	2.26
IБ=150 мкА	UКЭ, В	0	1	2	3	4	6
	IК, мА	0	0.948	1.927	2.912	3.899	5.874
IБ=200 мкА	UКЭ, В	0	1	2	3	4	6
	IК, мА	0	0.953	1.934	2.92	3.908	5.887

8	10	12	14	16
2.327	2.394	2.46	2.538	2.593
8	10	12	14	16
7.847	9.796	10.5	10.78	11.07
8	10	12	14	16
7.866	9.843	11.8	12.93	13.28

h11E parametr - tranzistorning kirish differensial qarshiligini hisoblash:

ℎ11𝐵 =, bo‘lganda 𝑈𝐾𝐸 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡; Bu yerda: ∆𝑈𝐵𝐸 = 𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑖𝑛va

∆𝐼𝐵 = 𝐼𝐵.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐵.𝑚𝑖𝑛;

∆𝑈𝐵𝐸 = 𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑖𝑛 = 0,735 − 0,687 = 0,048𝑉;

∆𝐼𝐵 = 𝐼𝐵.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐵.𝑚𝑖𝑛 = 80 − 20 = 60𝑚𝑘𝐴;

ℎ11𝐵 === 800 Om

h12E parametr - tranzistorning Kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa koeffitsiyentini hisoblash:

ℎ12𝐵 =, bo‘lganda 𝐼𝐵 = ; bu yerda: ∆𝑈𝐵𝐸 = 𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑖𝑛 va

∆𝑈𝐾𝐸 = 𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛;
∆𝑈𝐵𝐸 = 𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑖𝑛 = 0,735 − 0,632 = 0,103𝑉;
∆𝑈𝐾𝐸 = 𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛 = 8 − 0 = 8 𝑉;

ℎ12𝐵 == = 0.0128

h21B parametr - tranzistorning tok bo‘yicha differensial uzatish koeffitsiyentini hisoblash:

ℎ21𝐵 =, bo‘lganda 𝑈𝐾𝐸 = . Bu yerda: ∆𝐼𝐵 = 𝐼𝐵.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐵.𝑚𝑖𝑛 va

∆𝐼𝐾 = 𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛;
∆𝐼𝐵 = 𝐼𝐵.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐵.𝑚𝑖𝑛 = 200 − 25 = 175𝑚𝑘𝐴;
∆𝐼𝐾 = 𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛 = 12.93 – 2.538 = 10.392𝑚𝐴;

ℎ21𝐵 = = = 59.38

h22B parametr - tranzistorning differensial o‘tkazuvchanligini
hisoblash:

ℎ22𝐵 =, bo‘lganda 𝐼𝐵 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡 ; bu yerda: ∆𝐼𝐾 = 𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛 va

∆𝑈𝐾𝐸 = 𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛;
∆𝐼𝐾 = 𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛 = 10.78 – 9.796 = 0.984 𝑚𝐴;
∆𝑈𝐾𝐸 = 𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛 = 14 − 10 = 4 𝑉;

ℎ22𝐵 = = = 0.000246

Xulosa

Baza elektrodidagi tok rekombinatsiyasi tashkil etuvchi I_brek dan tashqari , ЭЎning injeksiyalangan kovaklar toki I_er va КЎning xususiy toki I_К0 dan tashkil topgan.Baza tokining rekombinatsiyasi I_БРЕК va injeksiya I_Эр tashkil etuvchilar yo’nalishlari bir xil.Agar КЎga qoyilgan kuchlanish teskari yonalishda bolsa uning xususiy toki I_К0 teskari yonalgan boladi. Tok bo’yicha kata kuchaytirish koeffitsiyentini taminlovchi sxema bipolyar transistor Umumiy emmiter sxemada ulangan. Ushbu sxemada umumiy elektrod bolib emmiter, kirish toki bo’lib baza toki, chiqish toki bo’lib esa kollektor toki xizmat qiladi.