O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi murotali Irisaliyevich Bazarbayev, Islom Mullajonov, Umida Mashrukovna Abdujabborova, Abdusamad Zoxidovich Sobirjonov, Indira Shamsutdinovna Saidnazarova

8.6-rasm.Qo’sh qutbli p-n-p tranzistor: 1. Germaniy plastinka. 2. Indiy tabletkalari. 3. P-n o’tishlar E. emmiter qismasi. K. kollektor qismasi. A. asos qismasi

8 -BOB.QO`SH QUTBLI TRANZISTORLAR

Uchta yarim o`tkazgich qatlamlarga va ikkita o`zaro ta`sir qiladigan еlektron-teshikli o`tishga еga bo`lgan yarim o`tkazgichli asbobga qo`sh qutbli tranzistor deyiladi. Qo`sh qutbli tranzistorlar germaniydan yoki kremniydan tayyorlanadi (8.6- rasm).
Germaiiyli plastinkaga ikki tomondan indiy tabletkalari qotishtirilgan. Indiy germaniy kristalining ichiga kirib ikkita teshikli еlektr o`tkazuvchanlikka еga bo`lgan n — sohalarni tashkil qiladi. Bu sohalar va qolgan germaniy kristali orasida ikkita n—p o`tishlar hosil bo`ladi. n—p o`tishlar orasidagi qolgan ingichka germaniy kristali asos deyiladi. Acocga zaryad tashuvchilarni kiritadigan tashqi sohaga еmitter deyiladi. Asosdan zaryad tashuvchilarni tortadigai tashqi sohagakollektor deyiladi. n—p o`tishlar o`zaro ta`sirlanish uchun ularning orasidagi asosning qalinligi juda kichik bo`lib, zaryad tashuvchilarning diffuzion uzunligidan kam bo`lishi kerak (zaryad tashuvchilar rekombinatsiyadan oldin o`tadigan masofaga diffuzion uzunlik deyilldi). Hozirda yarim o`tkazgichli asboblarning asos uzunligi bir necha mikrometrga teng. Arap asos sifatida p — germaniy yoki kremniy ishlatilsa, еmitter va kollektor sohalari donorli materialdan tayyorlansa, unda n—p—n tranzistor hosil bo`ladi. Arap asos sifatida r — germaniy yoki kremniy ishlatilsa, еmitter va kollektor sohalari donorli materialdan tayyorlansa, unda p—n—p tranzistor hosil bo`ladi. n—p—n va p—n—p tranzistorlarning ish printsipi bir xil, faqat ularga ulangan tok manbaining qutblari qarama-qarshi bo`ladi.