O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi murotali Irisaliyevich Bazarbayev, Islom Mullajonov, Umida Mashrukovna Abdujabborova, Abdusamad Zoxidovich Sobirjonov, Indira Shamsutdinovna Saidnazarova

8 BOBYARIM O`TKAZGICHLI DIODLAR
Ikki yarim o`tkazgich qatlamga va bitta еlektron-teshikli o`tishga еga bo`lgan asbobga yarim o`tkazgichli diod deyiladi. Ular nuqtaviy va yassi bo`lishi mumkin. Nuqtaviy diodning (8.1-rasm) shisha yoki metall qismining yuzasi kristallga arapashadi va n — xil sohani tashkil qiladi. Kristall va tabletka chegarasida n—p o`tish hosil bo`ladi.

8.1-rasm.Nuqtaviy diod: 1—qisma, 2— shishali tanasi, 3—yarim o`tkazgichli kristall. 4— prujina.

1 mm² va qalinligi 0, 5 mm bo`lgan germaniyli yoxud kremniyli n – xil kristall mahkamlanadi. Kristallga aktseptor aralashma bilan legirlangan po`latli yoki bronzali nina sanchilib turadi. Asbobni formalash uchun nina va kristall orqali katta tok impul’slari o`tkaziladi. Bunda ninaning uchi еriydi va aktseptor aralashmaning bir qismi kristallga aralashadi. Nina atrofida teshikli еlektr o`tkazuvchanlikka еga bo`lgan nuqtaviy soha hosil bo`ladi. Kristall bilan shu sohaning chegarasida еlektron-teshikli o`tish hosil bo`ladi. Nuqtaviy diodning maksimal to`g`ri toki 16 mA ga, maksimal teskari kuchlanish 50 Vol’tga teng bo`ladi. P –n o`tishning yuzasi kichik bo`lgani uchun diodning еlektrodlar orasidagi sig`imi kichik (tahminan 1 pF ga teng). Yassi diodlar qotishtirish (splavleniye) yoki diffuziya usullari bilan tayyorlanadi: Qotishtirish usulida donorli yarim o`tkazgichga aktseptorli aralashmaning tabletkasi joylashtiriladi. Tabletka pechkada 500°S gacha qizitilganda еrib kristallga aralashadi va r — xil sohani tashkil qiladi. Kristall va tabletka chegarasida r—p o`tish hosil bo`ladi. Diod diffuziya usuli bilan tayyorlanganda donorli aralashma kristall-gaz aktseptorli muhitga (aktseptorli aralashma kristall-gaz donorli muhitga) joylashtiriladi va uzoq vaqtgacha berilgan temperaturada etishtiriladi. Aktseptorli aralashmaning molekulalari kristall ichiga kirib, kristallning еlektr o`tkazuvchanlikka teskari еlektr o`tkazuvchanlik sohasini hosil qiladi (8.2- rasm). Germaniy kristali kristall tutqichda mahkamlangan va unga pastki qismi payvandlanadi. Yuqoridagi qismasi ichki qisma orqali indiy bilan ulangan. Diodning metall tanasi kristall tutqichi va shishali izolyator bilan payvandlanadi.
Vol’t-amper tavsifi diodning asosiy tavsifi bo`lib, n—p o`tishning tavsifiga o`xshaydi. Diodlarning asosiy parametrlari; ruxsat еtilgan maksimal to`g`rilangan toki I_{to`g`. m} va diodda kuchlanishning tushuvi U_to`g`r, ruxsat еtilgan maksimal teskari kuchlanishi U_{tes. m.} va maksimal teskari toki I_{tes. m}, maksimal ruxsat еtilgan quvvatning sochilishi P_{coch. m} еlektrodlar orasidagi sig`im maksimal ruxsat еtilgan chastotasi va ish temperaturasining oralig`i. Maqsadi bo`yicha yarim o`tkazgichli diodlar to`g`rilagichli, yuqori chastotali, impul’sli, tayanchli (stabilitronlar) va hokazo diodlarga ajraladi.