O’zbekiston respublikasi oliy va orta ta’lim vazirligi

1.2 Yarimo'tkazgichli tranzistorlar
Barcha yarimo'tkazgichli tranzistorlar ikki guruhga bo'linadi: bipolyar va unipolyar (maydon) tranzistorlar. Asosiy farq shundaki, bipolyar tranzistorlar oqim bilan boshqariladi va maydon tranzistorlari kuchlanish (elektr maydoni) bilan boshqariladi.
B ipolyar tranzistor ikkita o'zaro ta'sir qiluvchi pn-birikmaga ega yarimo'tkazgichli qurilma. Bipolyar tranzistorlar tuzilishi jihatidan farq qiladi. Maydonlarning o'zgarishiga qarab, "pnp" va "npn" turdagi bipolyar tranzistorlar ajralib turadi (14-rasm). Transistorlar uchta chiqishga ega: emitent (E), tayanch (B) va kollektor (K). _{"Npn" tipidagi bipolyar tranzistorlarda E K} quvvat manbaining ijobiy

14
polaritesikollektorga, "pnp" tipidagi tranzistorlarda esa emitentga ulanadi.

Transistorlar quvvat, chastota va boshqa xususiyatlar bo'yicha ham tasniflanadi.
Bipolyar tranzistorning ishlash printsipi elektr zaryadlarining asosiy tashuvchilari emitent hududdan baza orqali kollektor hududiga o'tkazilganda sodir bo'ladigan jismoniy jarayonlardan foydalanishga asoslangan.  ,
bu erda I _e , I _K , I _b - mos ravishda emitent, kollektor, bazaning pallasida oqimlar. Transistorning sifatini tavsiflovchi eng muhim parametrlar emitentdan kollektorga differensial oqim o'tkazish koeffitsienti -  va tayanchdan kollektorga differensial oqim o'tkazish koeffitsienti -  hisoblanadi.
U _KE bilan - const >>1
Zamonaviy tranzistorlar  = (0,90,99) va b = (410000) ga ega.
15
Bipolyar tranzistorlar ikkita parametrga ko'ra tasniflanadi: quvvat va chastota xususiyatlari. Quvvatiga ko'ra ular kam quvvatli (P _OUT <0,3W), o'rta quvvatga (0,3W
_OUT <1,5W) va kuchli (P _OUT > 1,5W) bo'linadi; chastota xususiyatlariga ko'ra - past chastotali (f _a <0,3 MGts), o'rta chastotali (0,3 MGts < f _a < 3 MGts), yuqori chastotali (3 MGts < f _a < 30 MGts) va ultra yuqori chastotali (f _a ) > 30 MGts).
Asosiy farq:
1) Bipolyar tranzistorda boshqaruv oqimlar orqali va maydon elektr maydonida sodir bo'ladi;
2) Bipolyarda 2 turdagi zaryad qo'llaniladi, maydonda bir turdagi zaryad (ularni bir qutbli deb ham ataladi);
Bipolyar tranzistorning ishlash printsipi elektr zaryadlarining asosiy tashuvchilari emitent hududdan baza orqali kollektor hududiga o'tkazilganda sodir bo'ladigan jismoniy jarayonlardan foydalanishga asoslangan.
, bu erda I _e , I _k , I _b mos ravishda emitent, kollektor va tayanch davrlaridagi oqimlar.
Tranzistorni faol chiziqli bo'lmagan kvadripol sifatida tavsiflovchi asosiy parametrlar (15-rasm):

• 
  joriy daromad  ,
  
• 
  kuchlanish kuchayishi  ,
  
• 
  quvvat olish  ,
  
• 
  kirish empedansi  ,
  
• 
  chiqish empedansi  .
  

16

Odatda, tranzistorlar elektr zanjiriga shunday kiritilganki, uning elektrodlaridan biri kirish, ikkinchisi chiqish, uchinchisi esa kirish va chiqish uchun umumiydir. Bunga qarab, tranzistorni yoqishning uchta usuli mavjud: umumiy baza (OB), umumiy emitent (OE) va umumiy kollektor (OK).
Umumiy emitent davri ko'pincha emitent izdoshi deb ataladi . yuk emitent pallasiga ulangan. Sxema oqim va quvvatni kuchaytirishni ta'minlaydi, kuchlanishning oshishi birdan kam (K _v  0,9 ÷ 0,99), katta kirish qarshiligi va kichik chiqishi R _IN >> R _OUT va mos keladigan bosqich sifatida keng qo'llaniladi.