O‘zbekiston respublikasi o‘zbekiston oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazitligi farg‘ona davlat universireti fizika-matematika fakul’teti

Фойдаланилган адабиётлар рўйҳати.

1. 
   Гук И.А., Горлин Г.Б., Шуман В.Б., Лодыгин А.Н., Парицкий Л.Г., Хайдаров З. Фотоприемник для ИК-преобразователя ионизационного типа // Патент России № 1672879, от 22.04.91 г.
   
2. 
   Гук И.А., Горлин Г.Б., Шуман В.Б., Лодыгин А.Н., Парицкий Л.Г., Хайдаров З. Способ изготовления фотоприемника для фотографической системы ионизационного типа // Патент России №1697572, от.08.08.91 г.
   
3. 
   Utamuradova Sh. B., Saparov F.A., Khaydarov Z. Physical processes at the semiconductor-plasma contact of a gas discharge in a thin gas-discharge cell // Science and world International scientific journal, 2021, №9 (97), ст. 8-10. (Impact factor– 0.325).
   
4. 
   Utamuradova Sh. B., Daliev Kh. S., Khaydarov Z., Rakhmanov D.A. Effective method for photographic recording of heat fields of objects and laser radiations based on a gas discharge cell // Academician: An International Multidisciplinary Research Journal, Vol 11, Issue 9, September 2021, ст,29-33. (Impact Factor: SJIF 2021 = 7.492).
   
5. 
   Хайдаров З., Хайдаров Б.З., Сапаров Ф.А., Юлдашев Х.Т. Физические свойства на контакте полупроводник – плазма газового разряда в тонкой газоразрядной ячейке // Научно технический журнал Фер ПИ, 2021, Том 25, №3, ст.115-118. (05.00.00,№20 ВАК Узб)
   
6. 
   Далиев Х.С., Хайдаров З., Йулдашев Х.Т., Юлдашев Н.Х. Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда // Физика полупроводников и микроэлектроника, 2019, т.1, в.4, cт. 22-29.(01.00.00, №16).
   
7. 
   Хайдаров З, Х.Т. Йулдашев Переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковыми электродами. // Журнал физики и инженерии поверхности, 2018, том 3, № 3, ст. 106–113. (01.00.00, №91).
   
8. 
   Хайдаров З., Йулдашев Х.Т. Новый фотографический эффект в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом // Прикладная физика, 2017, № 1, ст. 65-69. (01.00.00, №41).
   
9. 
   Хайдаров З., Хайдарова К.З., Йулдашев Х.Т. Высокочувствительная полупроводниковая ионизационная фотографическая камера для инфракрасного диапазона // Прикладная физика, 2017, № 5, ст. 75-80. (01.00.00, №41).
   
10. 
    Йулдашев Х.Т., Хайдаров З., Касымов Ш.С. Кинетика пробоя в системе «Полупроводник – газоразрядной промежуток» // Вестник Санкт-Петербургского университета. Серия 4. Физика. Химия 2017, Т4, №1, ст. 16-22. (01.00.00, изд. СНГ, №16).
    
11. 
    Хайдаров З., Юлдашев Х.Т., Хайдаров Б.З., Урмонов С. Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3–20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом // Физическая инженерия поверхности, 2015, №2, ст.136-140. (01.00.00, №91).
    
12. 
    Хайдаров З. Положительный фотографический эффект в чрезмерно тонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом // Узбекский физический журнал, 2012, V.14, № 1, ст. 46-49. (01.00.00, №91).
    
13. 
    Хайдаров З. Исследование сверхтонкой газоразрядной ячейки с полупроводниковым электродом из кремния, легированного платиной // Физическая инженерия поверхности, 2011, т.9, № 4, ст. 385-389. (01.00.00, №91).
    
14. 
    Хайдаров З. О возможности усиления фототока плазмы газового разряда в преобразователях изображений ионизационного типа // Физическая инженерия поверхности, 2010, т.8. № 3. ст. 214-221. (01.00.00, №91).
    
15. 
    Хайдаров З. Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере // Физическая инженерия поверхности, 2006, т.3. № 1-2. ст. 207-209. (01.00.00, №91).
    
16. 
    Касымов Ш.С., Хайдаров З., Хайдаров А.Х., Хомидов Х.Т., Юлдашев Н.Х. О возможности дискриминации фона изображения в полупроводниковой фотографической системе ионизационного типа // Научно технический журнал Фер ПИ ,2002, №4, ст.9-13. (05.00.00, №20 ВАК Узб)
    
17. 
    Хайдаров З., Хайдаров А.Х., Хомидов Х.Т., Юлдашев Н.Х. Исследование инфракрасной фотографической системы на основе кремния, легированного платиной // Научно технический журнал ФерПИ, 2001, №3, ст.3-8.(05.00.00, №20 ВАК Узб).
    
18. 
    Хайдаров З., Хайдаров А.Х., Хомидов Х.Т., Юлдашев Н.Х., Абдураззоков А.А. Фотоэлектрические явлениея на контакте полупроводник – плазма газового разряда // Научно технический журнал ФерПИ, 2001, №4, ст.310. (05.00.00,№20 ВАК Узб)
    
19. 
    Paritskii L.G., Mukhamadiev O, Dadabaev О. Spatial stabilization of the current in a semiconductor-gas discharge system // Semiconductors, American Institute of Physics 27 (11-12)1994, pp. 1104-1108. (Impact factor– 0.600).
    
20. 
    Парицкий Л.Г., Хайдаров З. Особенности контакта полу-проводник-газовый разряд при малых межэлектродных расстояниях // Физика и техника полупроводников, 1993, Т.27, В.11/12, С. 2017-2020. (Impact factor– 0.600).
    
21. 
    Лодыгин А.Н., Парицкий Л.Г., Хайдаров З. Электростатические явления в газоразрядной ячейке с полу-проводниковым электродом // Письма в Журнал Технической Физики, 1988, т.14., в.12, ст.1075-1079. (Impact factor– 0.562).
    
22. 
    Далиев Х.С., Утамуродова Ш.Б., Хайдаров З. Исследование фотоэлектрических свойств газоразрядной ячейки с фотоэлектродами на основе арсенида галлия и кремния плазменными контактами // “Тенденция развития современной физики полупроводников: проблемы, достижения и переспективы” Сборник материалов международной научно-рецензируемой онлайн конференции, 28 мая 2020 года.
    
23. 
    Абдурахмонов К., Хайдаров З., Йулдашев Х.Т. Демпфирующая ячейка из арсенида галлия с плазменными контактами в сверхтонкой газоразрядной ячейке // Материалы IV Международной конференции по “Оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах”. Фергана, 2018. ст. 291-296.
    
24. 
    Хайдаров З., Йулдашев Х.Т., Хайдарова К.З. Демпфирующая свойства полупроводниковой пластины в газоразрядной ячейке инфракрасной фотографической ионизационной камеры // Тезисы докладов Седьмой Международной конференция по Физической Электронике, Ташкент, 2018, ст. 149-151.
    
25. 
    Khaydarov Z., Yuldashev X.T., Khaydarov B.Z., Khaydarova K.Z. Highly sensitive infrared photographic camera // III International scientific congress, “Innovative solutions” – Materials. Bulgaria, 2017, pp.123-126.
    
26. 
    Йулдашев Х.Т., Касымов Ш.С., Хайдаров З. Усилительные процессы в узкой ионизационной системе с полупроводниковым электродом // Материалы межд. науч. конф. «Современные проблемы физики», Минск, Беларусь, 2016г., ст. 116-119.
    
27. 
    Йулдашев Х.Т., Касымов Ш.С., Хайдаров З. Исследование характеристик полупроводникового фотопреобразователя ионизационного типа со сверхтонкой газоразрядной ячейкой // Сборник тезисов докладов международной конференции фундаментальные и прикладные вопросы физики, Ташкент, 2016 г, ст. 208-213.
    
28. 
    Касымов Ш.С., Хайдаров З., Хомидов В.О., Кучкаров А.А. Мавлонов П.И. Исследование влияния токового усиления на фотоэлектрографические и выходные характеристики в преобразователях изображений ионизационного типа // Материалы 2-Международной конференции по оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах, Фергана, 2011, 1-часть, ст. 234 – 237.
    
29. 
    Касымов Ш.С., Хайдаров З., Хомидов В.О., Кучкаров А.А., Мавлонов П.И., Умаров А.О. Исследование тонкой газоразрядной ячейки с полупроводни-ковым электродом // Материалы 2-Международной конференции по оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах, Фергана, 2011, 1-часть, ст. 237 – 244.
    
30. 
    Хайдаров З., Кучкаров А.А., Хомидов В.О., Умаров А.О., Мавлонов П.И. Влияние автоэлектронной эмиссии на анодного распыления в полупроводниковой ионизационной камере // Материалы 2-Международной конференции по оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах, Фергана, 2011, 1-часть, ст. 244-245.
    
31. 
    Хайдаров З., Хомидов В.О., Кучкаров А.А., Умаров А.О., Мавлонов П.И. Исследование полупровод-никовой ионизационной камеры при температуре термоэлектрического охладителя // Материалы 2-Междуна-родной конференции по оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах, Фергана, 2011, 1-часть, ст. 245-246
    
32. 
    Хайдаров З., Мавлонов П.И., Хомидов В.О., Кучкаров А.А., Умаров А.О. Использование фона изображений в полупроводниковой ионизационной камере для усиления сигнала // Материалы 2-Международной конференции по оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах, Фергана, 2011, 1-часть, ст. 245 - 246.
    
33. 
    Хайдаров З. Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере // Материалы 2-Международной конференции по оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах, Фергана, 2011, 1-часть, ст. 246 - 249.
    
34. 
    Haydarov Z, Juraev N. Photographic process in the super thin backlash of the discharge cell in Semi-Conductor of the ionization camera // Materials of the 9-International Conference on Electronics, Information, and Communication, Tashkent, 2008, рp. 231- 234.
    
35. 
    Хайдаров З. Фотоэлектрический эффект в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом // Тезисы докладов 19-Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения посвященной 60-летию Государственного научного центра Российской Федерации ФГУП «НПО «Орион», Москва, 2006, ст. 212-213.
    
36. 
    Хайдаров З. Исследование анодного распыления в чрезмерно тонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом // Материалы международной конференции по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в полупроводниковых структурах, Фергана, 2006, ст. 112-113.
    
37. 
    Хайдаров З. Об оптимальном легировании узкозонных фотоприемников для полупроводниковой ионизационной камеры // Материалы международной конференции по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в полупроводниковых структурах, Фергана, 2006, ст. 28-29.
    
38. 
    Касымов Ш.С., Хайдаров З., Эсонов К., Азимов Т., Мавлонов П.И. Исследование токового усиления в чрезмерно тонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом // Материалы международной конференции по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в полупроводниковых структурах, Фергана, 2006, ст. 134-135.
    
39. 
    Хайдаров З. Новый фотоэлектрический эффект в сверхтонком (40 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом // Ярим ўтказгичлар физикасининг фундаментал ва амалий муаммоларига бағишланган халқаро илмий-услубий конференция материаллари, Андижон, 2005, ст. 156-157.
    
40. 
    Haydarov Z. Advanced Semi-Conductor Ionization Chamber on the Basis of an Image Intensifier (II) at the Thermoelectric Cooling // Abstracts of XVIII International Scientific and Engineering Conference on Photo electronics and Night Vision Devices, Moscow, Russia, 2004, pp. 109-110.
    
41. 
    Haydarov Z. Research of Background Radiation and Possibility of its Restriction and Possibility of its Restriction in Semi-Conductor Ionization System // Abstracts of XVIII International Scientific and Engineering Conference on Photo electronics and Night Vision Devices, Moscow, Russia, 2004, pp. 173-174.
    
42. 
    Хайдаров З. Фотоэлектрические явления сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом // Материалы конференции “Фотоэлектрические явления в полупроводниках 2004”, Ташкент, 2004, ст.93-94.
    
43. 
    Хайдаров З. О пространственной стабилизации тока плазмы газового разряда в сверхтонком зазоре с полупроводниковым электродом // Материалы международной конференции посвященной 90-летию академика С.А. Азимова “Фундаментальные и прикладные вопросы физики”, Ташкент, 2004, ст. 375-378.
    
44. 
    Хайдаров З. Усовершенствованная полупроводниковая ионизационная камера на основе ЭОП при температуре термоэлектрического охладителя // Тезисы докладов 18-международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 2004, ст.113-114.
    
45. 
    Хайдаров З. Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводни-ковой ионизационной системе // Тезисы докладов 18-международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 2004, ст.219-221.
    
46. 
    Хайдаров З., Юлдашев Н.Х., Хомидов Т.Х. Новые методы регистрации инфракрасных изображений в полупроводниковой фотографической системе // Труды конференции посвященной 60-летию Акаденмии наук Республики Узбекистан и Физико-технического института “Фундаментальные и прикладные вопросы физики”, Ташкент, 2003, ст. 303-312.
    
47. 
    Хайдаров З., Хайдаров А.Х., Юлдашев Н.Х. Фотоэлектрические явления на контакте – полупроводник плазма газового разряда // Труды конференции посвященной 60-летию Акаденмии наук Республики Узбекистан и Физико-технического института “Фундаментальные и прикладные вопросы физики”, Ташкент, 2003, ст. 345-347.
    
48. 
    Лодыгин А.Н., Парицкий Л.Г., Хайдаров З. Исследование ИК преобразователя изображений на кремния, легированного платиной // ФТИ им. А.Ф. Иоффе, препринт №1562, 1991, Санкт-Петербург, ст. 1-24.
    

Интернет материаллари.

1^ Ўзбекистон Республикаси Президентининг 2017 йил 7 февралдаги ПФ-4947-сон «Ўзбекистон Республикасини янада ривожлантириш бўйича ҳаракатлар стратегияси тўғрисида» ги Фармони.

2^Диссертация мавзуси бўйича хорижий илмий-тадқиқот шарҳи қуйидаги манбалар: https://journals.aps.org, https://ufn.ru, lettersonmaterials.com, phys.org, iopscience.iop.org, journals.ioffe.ru, Web of Science, Scopus, Springer, Research Gate ва бошқалар асосида олиб борилди.