Parmanova jumagulning

Keng polosali kuchaytirgichlar

Analog integral mikrosxemalar elementar negiz bosqichlar asosida yasaladilar. Negiz bosqichlarga UE sxemada ulangan bipolyar tranzistorlar hamda UI sxemada ulangan maydoniy tranzistorlardan yasalgan bir bosqichli kuchaytirgichlar kiradi. Negiz bosqichlar bir vaqtning o’zida tok yoki kuchlanish, hamda tok va kuchlanish bo’yicha kuchaytirish bilan quvvatni kuchaytiradilar.

Bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi. Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi eng keng tarqalgan. Kuchaytirgich tahlil qilinganda signal manbai yoki qarshilik R_G bilan ketma – ket ulangan ideal kuchlanish manbai Ye_G ko’rinishida (35 a-rasm), yoki qarshilik R_G bilan parallel ulangan ideal tok manbai I_G ko’rinishida (35 b-rasm) ifodalanishi mumkin.

2. 
   b)
   

33. 
    – rasm.
    

Agar R_G va kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligi qiymatlari bir – biriga yaqin bo’lsa, signal manbaining turi hisoblash aniqligiga ta‘sir ko’rsatmaydi. Agar R_G kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligidan ancha katta bo’lsa, 6.1 b- rasmda keltirigan signal manbaidan, aks holda esa 35 a-rasmda keltirigan signal manbaidan foydalanish tavsiya etiladi.

Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi sxemasi 36 – rasmda keltirilgan.
Sxemani tahlil qilganda, tranzistor holati kirish kuchlanishi bilan boshqarilganda uzatish xarakteristikasi (37-rasm), chiqish xarakteristikalar oilasi hamda kirish xarakteristikalar oilasidan foydalanish qulay.

36 – rasm. 37 – rasm.

Uzatish xarakteristikasi - kollektor toki I_K ning baza – emitter kuchlanishi
U_BE ga bog’liqligi eksponensial funksiya bilan approksimatsiyalanadi

I_K  I_KS
exp(^{U БЭ} ) . (3.16)


bu yerda
T
  ^{kT - termik potensial, IKS – proporsionallik koeffisienti bo’lib}
Т _q

uning tahminiy qiymati mikroquvvatli kremniyli tranzistorlar uchun T=300 K bo’lganda 10^-9 mA tartibga ega bo’ladi.
Kirish signali mavjud bo’lmaganda kuchaytirgich bosqichi sokinlik rejimida bo’ladi. Sokinlik rejimida kollektor – emittter kuchlanishining doimiy tashkil etuvchisi U_КЭ  E_П  I_K R_K .
Kirishga o’zgaruvchan kirish signalining musbat yarim davri berilsa, baza toki ortadi va u kollektor toki o’zgarishiga olib keladi. Bu holat uzatish xarakteristikasi (37-rasm) dan ko’rinib turibdi. Kollektor toki I_K ning U_BE kuchlanishiga bog’liq ravishda o’zgarishi xarakteristika tikligi S bilan ifodalanadi:

_{S } dI _K
dU _БЭ
U_KE = const bo’lganda

Bu kattalikni (6.1) ifodadan foydalanib ham topish mumkin:

_{S } dI _K
_T
(3.17) .

Shunday qilib, tiklik kollektor tokiga proporsional bo’lib, har bir tranzistorning individual xossalariga bog’liq bo’lmaydi. Shuning uchun bu kattalikni aniqlashda o’lchashlar talab qilinmaydi.
Kirish signali ta‘siri natijasida R_K dagi kuchlanish ortadi, U_KE kuchlanish esa kamayadi, ya‘ni manfiy yarim davrli chiqish signali shakllanadi. Demak, bunday kuchaytirgich bosqichi chiqish va kirish kuchlanish signallari orasida 180 ⁰ ga faza siljishini amalga oshiradi. Kollektor toki Ik

kattalikka ortadi.

I_K
 SU _БЭ
^{ SUКИР} .

Chiqish kuchlanishi U_ChIQ esa

Xulosa
Maydoniy tranzistor (MT) deb, tok kuchi qiymatini boshqarish ychun o’tkazuvchi kanaldagi elektr o’tkazuvchanligikni o’zgartirish hisobiga elektr maydon o’zgarishi bilan boshqariladigan yarim o’tkazgichli aktiv asbobga aytiladi.
Zatvordagi kuchlanish U_ZI yordamida stok toki I_C ni boshqarish stok – zatvor xarakteristikasidan aniqlanadi.
P – n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardan farqli ravishda MDYa–tranzistorlarda metall zatvor kanal hosil qiluvchi o’tkazgichli sohadan doim dielektrik qatlami yordamida izolyatsiyalangan. Shu sababli MDYa– tranzistorlar zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar turiga kiradi. Dielektrik qatlami SiO₂ dielektrik oksidi bo’lganligi sababli, bu tranzistorlar MOYa – tranzistorlar (metall – oksid- yarim o’tkazgichli tuzilma) deb ham ataladilar.