Прохождение тока через p-n переход

Влияние температуры на обратный ток диода

С ростом температуры увеличивается скорость тепловой генерации электронно-дырочных пар во всех областях p-n-перехода. Это приводит к резкому (по экспоненциальному закону) возрастанию с температурой концентрации неосновных носителей заряда в n- и p-областях перехода и, следовательно, к увеличению тока насыщения. Концентрация неосновных носителей заряда в полупроводнике зависит от температуры по закону:

^pn0
_n2
_ i _
ⁿn0

• 
  E_g
  

_e kT _,


ⁿp0
_n2
_i _
^pp0

• 
  E_g
  

_e kT

. (64)

При выводе этих соотношений использовался закон действующих масс и то обстоятельство, что n_n0 и p_p0 не меняются с изменением температуры во всем интервале истощения примеси (и, следовательно, во всем интервале рабочих температур).

Время жизни неосновных носителей заряда и их диффузионные длины с изменением температуры меняются значительно слабее и их изменением можно пренебречь и считать, что ток насыщения

• 
  E_g