Прохождение тока через p-n переход

i
J_{S }
ⁿ² _ e
^kT . (65)

Другая компонента обратного тока – ток термогенерации в слое объемного заряда – также будет расти вследствие увеличения скорости тепловой генерации электронно-дырочных пар G₀

• 
  E_g
  

^Jген в ОЗ


V const
G₀  n_i  ^e
2kT
. (66)

Третья компонента обратного тока – ток утечки – также растет с ростом температуры, но значительно слабее. Ввиду того, что этот ток может быть обусловлен различными механизмами, из которых не все до конца понятны, то общий анализ зависимости J_ут.(T) затруднен.
В общем случае зависимость обратного тока от температуры приведена на рис.19. Очевидно, что при низких температурах будет преобладать ток

утечки. Поскольку
^J ген в ОЗ
растет с температурой быстрее тока утечки, в

каком то интервале температур он станет больше. Ток насыщения растет с температурой еще быстрее, так что он может стать основным при более высоких температурах.

⎛ ^E ⎞

exp  ^g

Токи J_S и
^J ген в ОЗ
в общем случае пропорциональны
^⎜ _mkT ^⎟ , где

⎝ ⎠
m – коэффициент, соответствующий определенной компоненте обратного тока. Для диодов, у которых эти компоненты преобладают над токами утечки, снимая зависимость J_обр.(T) при постоянном обратном смещении, можно по

величине m оценить механизм протекания тока через диод в том или ином температурном интервале. Для этого необходимо построить в

полулогарифмическом масштабе график зависимости
ln J

⎛ ¹ ⎞

⎝ ⎠
обр . ⎜ _T ⎟
и по

наклону выбранного прямолинейного участка определить коэффициент m:

Рис.19. Температурная зависимость обратного тока через диод

m  ^Eg 


. (68)

k

6. Влияние температуры на прямую ветвь ВАХ диода

Прямой ток через диод создается диффузионными потоками основных носителей заряда, преодолевающих энергетический барьер высотой