Прохождение тока через p-n переход
Download 0.87 Mb.
|
matni yaxshi 4-bob
- Bu sahifa navigatsiya:
- Влияние температуры на прямую ветвь ВАХ диода
i
JS n2 e kT . (65) Другая компонента обратного тока – ток термогенерации в слое объемного заряда – также будет расти вследствие увеличения скорости тепловой генерации электронно-дырочных пар G0 Eg Jген в ОЗ V const G0 ni e 2kT . (66) Третья компонента обратного тока – ток утечки – также растет с ростом температуры, но значительно слабее. Ввиду того, что этот ток может быть обусловлен различными механизмами, из которых не все до конца понятны, то общий анализ зависимости Jут.(T) затруднен. В общем случае зависимость обратного тока от температуры приведена на рис.19. Очевидно, что при низких температурах будет преобладать ток каком то интервале температур он станет больше. Ток насыщения растет с температурой еще быстрее, так что он может стать основным при более высоких температурах. ⎛ E ⎞ exp g Токи JS и J ген в ОЗ в общем случае пропорциональны ⎜ mkT ⎟ , где ⎝ ⎠ m – коэффициент, соответствующий определенной компоненте обратного тока. Для диодов, у которых эти компоненты преобладают над токами утечки, снимая зависимость Jобр.(T) при постоянном обратном смещении, можно по величине m оценить механизм протекания тока через диод в том или ином температурном интервале. Для этого необходимо построить в полулогарифмическом масштабе график зависимости ln J ⎛ 1 ⎞⎝ ⎠ обр . ⎜ T ⎟ и по наклону выбранного прямолинейного участка определить коэффициент m: Рис.19. Температурная зависимость обратного тока через диод m Eg . (68) k Влияние температуры на прямую ветвь ВАХ диодаПрямой ток через диод создается диффузионными потоками основных носителей заряда, преодолевающих энергетический барьер высотой Download 0.87 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2025
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling