Qabul qildi: Jamolova g qarshi 2023-yil 1-Mavzu: Nosimmetrik dk sxemasi Reja

MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
QARSHI FILIALI



KOMPYUTER INJINIRINGI FAKULTETI
KI 12-21 GURUH TALABASINING

Elektronika va sxemalar 2
FANIDAN

1-Mustaqil ishi

Bajardi: Shonazarova M

Qabul qildi: Jamolova G
Qarshi 2023-yil
1-Mavzu:Nosimmetrik DK sxemasi
Reja:
1.Nosimmetrik DK sxemasi
2.DK asosiy parametrlari
Zamonaviy DKlarda SSSKning qiymati odatda 60÷100 dB orasida bo‘ladi.
DKning keyingi asosiy parametri uning dinamik diapazonidir. Dinamik diapazon deganda kuchaytirgich kirishidagi maksimal va minimal signallar amplitudalari nisbati tushuniladi
.
Minimal signal DKning xususiy halaqitlari bilan, maksimal signal esa, signal shaklining buzilishlari bilan chegaralanadi. Nochiziqli buzilishlar signal ta’sirida tranzistor to‘yinish yoki berk rejimga o‘tganda hosil bo‘ladi.
Hisoblar ko‘rsatishicha, ruxsat etilgan maksimal kirish signali dan katta bo‘lishi mumkin emas. Bu yerda, r_E – EO‘ning differensial qarshiligi; I_E – sokinlik rejimidagi emitter toki. r_E = 50 Om va I_E = 12 mA bo‘lganda φ_T = 50 mV. Amalda signal buzilishlari katta bo‘lmasligi uchun kirish signali amplitudalari 0,5·φ_T atrofida bo‘lmog‘i kerak. Gap shundaki, φ_Tga yaqinlashgan sari, emitter toki, u bilan birgalikda, r_E qarshilik qiymati va kuchaytirish koeffitsiyenti juda sezilarli darajada o‘zgaradi.


DK asosiy parametrlari.


Turli modifikatsiyali DKlar o‘zlarining aniqlik parametrlari bilan xarakterlanadilar.
Shunday parametrlardan biri bo‘lib nolning siljish kuchlanishi U_SIL xizmat qiladi. DK chiqishida nolga teng kuchlanish olish uchun kirishga beriladigan kuchlanish qiymati siljituvchi kuchlanish deb ataladi. Gap shundaki, yelkalar assimmetriyasi hisobiga kirishda signal bo‘lmagan holda, chiqishda qandaydir kuchlanish paydo bo‘ladi. Bu kuchlanish signal sifatida qabul qilinishi mumkin. Turli DKlarda U_SIL qiymati 30÷50 mV bo‘lishi mumkin. U_SIL ning temperaturaga bog‘liqligini e’tiborga olish zarur. Bu bog‘liqlik temperatura sezgirlik ε_U=0,05-70 mV/⁰S bilan ifodalanadi.
DKning yana bir aniqlik parametri – siljitish toki ΔI_SIL dir. U kirish toklari ayirmasidan iborat. Parametrning an’anaviy qiymatlari mikroamperlardan nanoamper ulushlarigacha bo‘ladi. Siljish toki signal manbai qarshiligi R_G orqali o‘tib, unda yolg‘on signal hosil qiladi. Masalan, agar ΔI_SIL= 20 nA va R_G= 100 kOm bo‘lsa, ΔI_SIL · R_G =2 mV ni tashkil etadi.