Quyosh energiyasidan foydalanishning energetik tizimlari va qurilmalari

Sohali o‘stirish (1.3.2 – rasmga qarang). Bu usulning Bridjmen usulidan
farqi shundaki, bu usulda ikkita pech ishlatiladi, biri harorati Ter
, ikkinchisi 

harakatchan konstruksiyali qisqa zonali harorati T>T

er
. Bu usulda erigan modda 

tigyel devorlari bilan kamroq kontaktda bo„lgani uchun o„stirilayotgan kristall

kamroq ifloslanadi. Eriyotgan va erigan soha qalinligini va uning siljish tezligini 

o„zgartirish imkoniyati mavjud. Shuning uchun bu usul yarimo„tkazgich

materiallarni yaxshiroq tozalash imkoniyatini beradi. 


Choxralskiy usuli. Bu usul asosan sanoat ko„lamida Ge va Si ishlab
chiqarishda ishlatiladi. 1.3.1 – rasmda Choxralskiy usulining prinsipial sxemasi 
berilgan. Yuqoridagi usuldan uning farqlaridan biri bu tigyelsiz usul bo„lib,
o„stirilayotgan kristall o„lchamini nazorat qilish mumkin, hamda o„sish sur‟atini 
nazorat qilish imkoniyati mavjud. [1]


1.3.1 – rasm. Kristallarni Choxralskiy usuli bilan o„stirish qurilmasi. 

1 – vakuum yoki inert gaz muhit; 2 – kristallni tortuvchi sterjen; 3 – dastlabki o„stirishni 

belgilovchi kristall; 4 – o„sib borayotgan kristall; 5 – kvarsdan qilingan tigyel; 6 – yuqori 

chastotali induktor; 7 – induksion tok ta'sirida qizdiriluvchi grafit; 8 – kremniy kristali; 9 –
kristallizatsiya fronti; 10 – suyuq kremniy. 

1.3.2 – rasm. Monokristallarni eritmalardan o„stirishning tigyelsiz usullari. a – Varneyl usuli; 

b – vertikal sohali eritish; d – “tomchidan” tortish usuli; e – “ko„lmakdan” tortish usuli. 1,5 – 

shtoklar, 2 – kristall manba, 3 – erigan kristall, 4 – o„sayotgan kristall, v` va v``– shtoklarning 

aylanish tezliklari. 

 
Kristallar o„stirilgandan keyin materiallarga mexanik va kimyoviy ishlov 
berish texnologiyasiga o„tiladi.

Yarimo„tkazgichli materiallarni qirqish. Yarimo„tkazgichli materiallar
asosan yombi ko„rinishda o„stiriladi (slitok). Yombining diametri, vazni, uzunligi 
har xil bo„lishi mumkin. Undan tashqari materiallar qattiqligi bilan ham katta farq
qilishi mumkin. Qirqish usullari asosan sim orqali qirqish, olmos yuritilgan gardish 
(disk) orqali qirqish va nisbatan yangi usul lazer nuri yordamida qirqishlarga
bo„linadi. Bu usullarni ishlatish davomida asosan qirqish jarayonida hosil 
bo„ladigan chiqindilarni kamaytirish, qirqish jarayonida plastinalar sifatini saqlash
va qirqish samaradorligini oshirishga ahamiyat beriladi. 


Kimyoviy ishlov berish. Bu texnologik jarayon davomida asosan
yarimo„tkazgichli materiallar yuzasiga ta‟sir qilinadi va ular qatoriga kimyoviy va 
mexanik sayqal berish, kimyoviy tozalash va kimyoviy yemirish jarayonlari kiradi.

Ishlov berish tartibi quyidagilardan iborat: taglikka o„rnatish, yuvish va shliflash.

Sayqallash jarayoni quyidagi tartibda olib boriladi. Avvaliga namuna 
taglikka o„rnatiladi, keyin shlifovka jarayonida ishlatilgan dastgohga yoki alohida
dastgohga yumshoq matoh (M: baxmal, zamsh, batist, satin va shunga o„xshashlar) 
tortiladi. So„ngra namuna matohga ma‟lum bosim bilan yarimo„tkazgichli material
kontaktga keltiriladi va ma‟lum tezlikda aylantiriladi 60 – 100 ayl/min. Matoh 
bilan namuna orasiga tarkibida olmos bo„lgan suspenziya (olmos pastalar asosida
tayyorlangan quyuq massa) quyiladi. Ishlatiladigan asosiy olmos pastalar markalari 
ASM 3, ASM 1. va hokazolar. Ishlov berish sifati va darajasi optik mikroskop
yordamida nazorat qilinadi. [4] 


Kimyoviy yemirish jarayoni. Yarimo„tkazgichli materiallar sirtida mexanik
ishlov natijasida hosil bo„lgan deformatsiya bo„lgan qatlamlarni sof yuza 
chegarasigacha olib tashlash uchun ishlatiladi. Ayrim hollarda yarimo„tkazgich
qalinligini kamaytirishda ham ishlatiladi. Kimyoviy yemiruvchilar uch turga 
bo„linadi:
1.

Selektiv (tanlovchi) yemiruvchilar. Bular yordamida kerakli ma‟lum

kristallografik yo„nalishdagi yuzalarni, sirtlarni chiqarish mumkin. 
2.
Sayqallovchi yemiruvchi. Bu izotropik, ya‟ni har xil yo„nalishda 

o„zgarmas ma‟lum yemirish tezligiga ega bo„lgan yemiruvchi.

3.

Noselektiv yemiruvchi. Bu yemiruvchi material yuzasini nisbatan

sayqallaydi va yuzada notekisliklar ham hosil qiladi. 
Yemiruvchilar tayyorlash uchun ximikatlar ularning tozaligiga qarab tanlab
olinadi. Ximikatlar tozaligiga qarab quyidagi turlarga bo„linadi. Τ – texnik toza, 
XCh – ximiyaviy toza, ChDA – analiz uchun toza, OSCh – alohida spektral toza.
Keyingi texnologiya – Quyosh elementi tuzilmalariga omik kontaktlar olish 
texnologiyasi.
Agar yarimo„tkazgich va metall orasidagi kontaktning volt – amper 
xarakteristikasi noldan boshlab kuchlanishning katta qiymatlariga teng kT largacha
(V>>kT) chiziqli xususiyatga ega bo„lib, tok kuchini qarama – qarshi tomonga 
o„zgartirilganda ham bu qonuniyat saqlansa, kontakt omik deb hisoblanadi. [1]

Omik kontaktga qo„yiladigan talablar. Omik kontakt quyidagi xususiyatlarga

ega bo„lishi shart: 
a) katta elektr o„tkazuvchanlikka;
b) yuqori issiqlik o„tkazuvchanlikka; 
c) mexanik mustahkamlikka.
Quyosh elementlariga kontakt olish jarayonining o„tkazilish tartibi 
quyidagicha amalga oshiriladi:
– Si p – n tuzilmasini kontakt olishga tayyorlash (kimyoviy yoki kimyoviy – 
mexanik usul bilan kontakt olinadigan yuzani tozalash);
– strukturaga fotorezist o„tqazish; 
– fotoshablon yordamida kontakt rasmini tushirish;
– fotorezistni mustahkamlash; 
– vakuum qurilmasidan foydalanib ketma – ketlik bilan kontakt materiallarini
uchirish; 
– kontakt adgeziyasini yaxshilash uchun kontaktga issiqlik bilan ishlov berish;
– fotorezistni yuzadan olib tashlash; 
– kontakt kesim yuzasini oshirish uchun qalaylash;
– frontal yuzadan nur qaytarishini kamaytirish uchun uni oksid bilan qoplash; 
– Quyosh elementi tuzilmasidan shunt beradigan qismlarni kesib olib tashlash;
– Quyosh elementining parametrlarini o„lchash.