Распределение электронов по энергетическим уровням

Рисунок 4.1.4 Зависимость энергии электрона от волнового вектора для одномерной моноатомной цепочки

Конкретный вид зависимости определяется как симметрией кристалла, так и типом атомов, его образующих. Анизотропия кристалла обуславливает зависимость от кристаллографического направления. На рисунке 4.1.5 представлена трехмерная картина изменения энергетических уровней в периодическом поле двумерной гексагональной кристаллической решетки и дисперсия энергии электрона вдоль направления наибольшей симметрии этой решетки. Из рисунка 4.1.5, б видно, что энергетические уровни свободного электрона претерпевают значительные изменения при наложении периодического потенциала. Более подробно анализ этих зависимостей проведен в разделе 4.1.4

Рисунок 4.1.5 Зависимости энергии электрона от волнового вектора: а − изменение энергетических уровней свободного электрона, находящегося в поле ненулевого периодического потенциала в случае двумерной гексагональной решетки; б − дисперсия энергии вдоль направлений наибольшей симметрии гексагональной решетки (пунктир показывает уровни свободного электрона).
Список использованных источников

1. Карапетьянц М. X., Дракин С.И., Строение вещества, 3 изд., М., 1978;

2. Шлольевский Э. В., Атомная физика, 7 изд., т. 1-2, М., 1984. М.А.
3. Ван-Дер-Варден Б., в сб.: Теоретическая физика 20 в., M., 1962, с. 231; Паули В., там же, с. 357;
4. Каплан И. Г., "Успехи фнз. наук", 1975, т. 117, в. 4, с. 691--704; его же, в сб.: Теоретико-групповые методы в физике, т. 1, M., 1980, с. 175;
5. Ландау Л. Д., Лифшиц E. M., Квантовая механика, 4 изд.. M., 1989. И. Г. Каплан.
Список интернет источников:
1. http://www.chemport.ru/data/chemipedia/article_322.html