Реферат диссертации доктора философии (PhD) по физико-математике ташкент 2023 удк

Ц, ^0С	т ОТЖ , мин	Скорость погружения, Как	я со / я си	я си / я си п	Чт
_ _ _ МкОм∙см
1	КДБ -7,5	105 105	RE	633 660	—	2 2	0,52	0,93	0,43	18
2	КДБ -7,5	210	КФЭ	575	5	2	0,47	0,88	0,87	25
3	КЭФ -4,5	210	КФЭ	610	7	2	0,54	0,87	0,83	25
4	КЭФ -4,5	105 105	RE RE	580 562	—	2 2	0,89	0,78	0,95	8
5	КДБ -12	210	КФЭ	630	7	2	0,65	0,94	0,29	23

, выращенных различными способами, показывает, что морфология и стехиометрия слоев критически зависят от условий выращивания . С точки зрения морфологии слои CoSi _{2 /Si} можно разделить на три основных типа :

1) цельные слои CoSi ₂ ;
2) занавески с микроскопическими отверстиями;
3) промежуточные шторы;
CoSi _{2 делится на две фазы} в зависимости от разницы в стехиометрии :
1) (CoSi ₂ -Si) CoSi _{2 , обогащенный кремнием} ;
2) (CoSi ₂ -Co) CoSi _{2 , обогащенный кобальтом} ;
морфологией, стехиометрией и условиями роста структур CoSi _{2 /Si имеют большое значение при создании структур устройств на основе данных эпитаксиальных слоев. В} большинстве случаев ставится вопрос о получении максимально однородных слоев, но в ряде приложений представляет интерес формирование пористых слоев с контролируемыми морфологическими характеристиками в субмикронных масштабах. Предложен способ изготовления транзистора с поглощающей базой, в котором роль дырок на металлической основе играют естественные субмикронные дырки в слое CoSi _2. а - Выражение, связывающее коэффициент передачи тока транзистора с коэффициентом TH покрытия из предложена система CoSi _{2 /Si;}
(1)
в этом
(2)


(3)
Здесь D ₀ — изменение размера барьера Шотке в центре отверстия
( D ₀ =f(x); x — средний диаметр отверстий.
Таким образом, изменяя условия роста слоя CoSi _{2 x} и Можно будет управлять значениями TH и, следовательно, коэффициентом пропускания тока α . Стехиометрия пленок CoSi ₂ влияет на электрофизические свойства, включая высоту барьера Шотке и удельное сопротивление.
при изменении стехиометрии не нарушается объем и поверхностная плотность атомов, т. е. при нарушении стехиометрии атомы одного типа обмениваются с другими в узлах кристаллической решетки, появление атомов на пересечении узлов не учитывается. Например, в выборках а и г формула (1) дает явно заниженные значения коэффициента охвата. С другой стороны, более низкими показателями являются: - толщина слоя кобальта, нанесенного на подложку; T _S – температура подложки во время эпитаксии. t _omj – время разупрочнения при КФЭ. d размер выборки подтверждается данными TED. На дифрактограмме наблюдались рефлексы от поверхности монокристалла CoSi _{2 наряду с рефлексами, соответствующими регенерированной поверхности Si (100)2×1, что свидетельствует о большой площади основания кремниевой подложки} , не покрытой слоем силицида. . Таким образом, формула (1) позволяет провести качественный анализ коэффициентов покрытия, полученных для различных режимов роста.
Оже-распределения (рис. 7) свидетельствуют об образовании тонкого слоя чистого кремния на поверхности силицида кобальта при определенных условиях роста. Причиной этого эффекта может быть как диффузия атомов кобальта с поверхности вглубь образца, так и диффузия атомов кремния с подложки на поверхность . Первый механизм кажется более надежным . В любом случае образование слоя кремния на поверхности силицида энергетически целесообразно , так как свободная поверхностная энергия Si относительно меньше, чем у CoSi ₂ . Формирование слоя чистого кремния на CoSi ₂ может иметь положительный эффект при производстве транзисторов на металлической основе, где необходимо выращивать эпитаксиальный слой кремния поверх структуры CoSi _{2 /Si. При этом} было установлено, что наличие тонкого буферного слоя кремния на поверхности CoSi _{2 улучшает кристаллическое совершенство эпитаксиального слоя кремния. Как} видно из профилей на рис. 5 , приповерхностный слой кремния формируется только при определенных условиях роста. Таким образом, можно контролировать этот процесс.