Реферат диссертации доктора философии (PhD) по физико-математике ташкент 2023 удк

Практические результаты исследования следующие:
разработаны оптимальные режимы получения ионно-легированных слоев силицидов в различных структурных сочетаниях;
материалов позволяет управлять параметрами;
использование силицидов, полученных методом ионной имплантации, для создания чувствительных электронных устройств и конструкций, таких как фотосенсоры, О'ЫЧ-транзисторы, низкоомные контакты.
Достоверность результатов исследований методами МНЭ, КФЭ и РЭ , с использованием технологии формирования тонкого слоя силицида в областях вблизи поверхности кремния путем имплантации ионов Fe и So при энергии 40 кэВ и излучении 10 ¹⁵ - 10 ¹⁷ ион/см ² скоростей , рентгеновский микрозондовый анализ при получении научных результатов (Jeol Super Probe JXA-8800 R/RL), определяемый методами электронной спектроскопии Одже, дифракции быстрых электронов и обратного резерфордовского рассеяния.
Научная и практическая значимость результатов исследования. Научная значимость результатов исследования заключалась в получении новых сведений об ионной имплантации в процессе структурных, ростовых, электрофизических свойств слоев, а также в развитии теоретического представления об этом процессе и свойствах. Выяснение механизмов, приводящих к электронным изменениям поверхности при ионной имплантации, а также определение свойств и природы валентных электронов имеют большое значение для теории воздействия заряженных частиц на твердые тела.
Практическая значимость результатов исследований заключается в использовании установленного эффекта введения атомов железа и кобальта под оксидный слой для улучшения морфологических свойств тонких слоев дисилицидов железа и кобальта, формирующихся на поверхности кремния, и эти слои являются эффективными электронными устройствами. : термо- и фотодатчики, СВЧ-транзисторы могут быть использованы для создания низкоомных контактов.
Внедрение результатов исследований .
На основании полученных научных результатов о механизмах формирования новых поверхностных структур, наблюдаемых в результате кратковременного термического нагрева ионно-имплантированных образцов на кремнии:
Определить механизмы получения полупроводниковых материалов с управляемой наноразмерной структурой со стабильными электрофизическими параметрами в кремнии, имплантированном ионами кобальта, получить энергетическую диаграмму, отражающую реальную электронную структуру тонкого слоя кобальт-кремния, определить энергетические характеристики тонкого слоя кобальт-кремния. слой "CoSi, полученный с использованием различных технологий" в Институте ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз №, использованный для определения основных энергетических свойств слоев ₂ " (справочное письмо ФА Республики Узбекистан № 2/1255-2798 от 7 ноября 2022 года). Научные результаты позволили определить механизмы получения полупроводниковых материалов с управляемой наноразмерной структурой со стабильными электрофизическими параметрами.
Исходя из структурного строения атомов железа в кремнии в зависимости от количества излучения и температуры нагрева, для железа и кобальта с освещенностью 10 ¹⁷ ионов/см ² получен монокристаллический слой с множественными дефектами на поверхности при температуре 800 ^{0 С для образования, температур и доз облучения время нагрева было выбрано равным 30 мин,} так как максимальная концентрация электроактивных атомов железа, нагретых при Т = 800 ^{0 С, увеличивается в 1-3 раза; повышение} температуры до 1000 ⁰ С и увеличение концентрации железа до 20 ат. % использовали при получении полупроводниковых электронных приборов на основе кремния производства АО «ФОТОН» (исходный № 04-3/128 АО «Озелтеханоат» от 24 января
2022 г.). Результаты работы позволили использовать их для создания электронных устройств и фотодатчиков, СВЧ-транзисторов, низкоомных контактов.