Reja: Bipolyar tranzistor haqida

Reja:

1. 
   Bipolyar tranzistor haqida
   
2. 
   Bipolyar tranzistorni ulanish sxemalari
   
3. 
   Bipolyar tranzistorning statistik va dinamik parametrlari
   

BIPOLYAR TRANZISTORLAR

Jon Bardin, Uilyam Shokli va Uolter Bratteyn da Bell laboratoriyalari 1948 yilda kontaktli tranzistor 1947 yilda va bipolyar o'tish transistorlari 1948 yilda.

Birinchi ishlaydigan tranzistorning nusxasi, a kontaktli tranzistor 1947 yilda ixtiro qilingan.
Qo'shimcha ma'lumotlar: Nuqta-kontaktli tranzistor va Bipolyar o'tish transistorlari
1947 yil 17-noyabrdan 1947 yil 23-dekabrgacha, Jon Bardin va Uolter Bratteyn da AT & T"s Bell laboratoriyalari yilda Murray Hill, Nyu-Jersi, eksperimentlar o'tkazdi va kristallga ikkita oltin nuqta kontaktlari tushganda kuzatildi germaniy, chiqish quvvati kirishdan kattaroq signal ishlab chiqarildi. Qattiq jismlar fizikasi guruhi rahbari Uilyam Shokli buning salohiyatini ko'rdi va keyingi bir necha oy ichida yarimo'tkazgichlar haqidagi bilimlarni ancha kengaytirish ustida ish olib bordi. Atama tranzistor tomonidan yaratilgan Jon R. Pirs atamani qisqartirish sifatida o'zaro qarshilik. Jon Bardinning tarjimai holi mualliflari Lillian Xodeson va Vikki Deytchning so'zlariga ko'ra, Shockli Bell Labs-ning tranzistor uchun birinchi patentini maydon effektiga asoslanib, uni ixtirochi deb atashni taklif qilgan edi. Lilienfeldning bir necha yil oldin qorong'ilikka kirgan patentlarini ochib, Bell Labs advokatlari Shoklining taklifiga qarshi maslahat berishdi, chunki elektr maydonini "panjara" sifatida ishlatgan dala effektli tranzistor g'oyasi yangi emas edi. Buning o'rniga 1947 yilda Bardin, Brateyn va Shokli ixtiro qilgan narsa birinchi bo'ldi kontaktli tranzistor.^[18] Ushbu yutuqni e'tirof etish uchun Shockley, Bardeen va Brattain birgalikda 1956 mukofotiga sazovor bo'lishdi Fizika bo'yicha Nobel mukofoti "yarim o'tkazgichlar bo'yicha olib borgan tadqiqotlari va tranzistor ta'sirini kashf etganliklari uchun".
Shoklining tadqiqot guruhi dastlab o'tkazuvchanlikni modulyatsiya qilishga urinib, maydon effekti tranzistorini (FET) qurishga urindi. yarimo'tkazgich, lekin muvaffaqiyatsiz bo'ldi, asosan bilan bog'liq muammolar tufayli sirt holatlari, osilgan bog'lanish, va germaniy va mis aralash materiallar. Ishlayotgan FETni barpo etmaslikning sirli sabablarini tushunishga urinish jarayonida bu ularni bipolyar kashf etish o'rniga olib keldi aloqa nuqtasi va birlashma tranzistorlari.

Herbert Mataré 1950 yilda. U mustaqil ravishda 1948 yil iyun oyida nuqta-kontaktli tranzistor ixtiro qildi.
1948 yilda nuqta-kontaktli tranzistor mustaqil ravishda nemis fiziklari tomonidan ixtiro qilindi Herbert Mataré va Geynrix Welker da ishlayotganda Compagnie des Freins va Signaux, a Vestingxaus filiali joylashgan Parij. Matarening rivojlanish borasida avvalgi tajribasi bor edi kristall rektifikatorlar dan kremniy va germaniy nemis tilida radar davomida harakat Ikkinchi jahon urushi. Ushbu bilimlardan foydalangan holda, u 1947 yilda "aralashuv" hodisasini o'rganishni boshladi. 1948 yil iyun oyiga kelib, Mataré Bardin va Bratteyn ilgari erishgan natijalariga o'xshash Welker tomonidan ishlab chiqarilgan germaniy namunalari yordamida izchil natijalarga erishdi. 1947 yil dekabr. Bell Labs olimlari o'zlaridan oldin tranzistorni ixtiro qilganligini anglagan holda, kompaniya Frantsiyaning telefon tarmog'ida keng foydalanish uchun ishlab chiqarishga "o'tish" ni boshlashga shoshildi va 1948 yil 13 avgustda o'zining birinchi tranzistor patentiga ariza berdi.^[28][29][30]
Birinchi bipolyar o'tish transistorlari 1948 yil 26-iyunda Patent olish uchun ariza bergan Bell Labs kompaniyasining Uilyam Shokli tomonidan ixtiro qilingan (2 569 347). 1950 yil 12 aprelda Bell Labs kimyogarlari Gordon Teal va Morgan Sparks germaniy tranzistorini kuchaytiradigan ishlaydigan bipolyar NPN birikmasini muvaffaqiyatli ishlab chiqardi. Bell Labs kompaniyasi ushbu yangi "sendvich" tranzistor topilganligi to'g'risida 1951 yil 4 iyuldagi press-relizida e'lon qilgan edi.
Philco sirt to'siqli tranzistor

1953 yilda ishlab chiqilgan va ishlab chiqarilgan

Birinchi yuqori chastotali tranzistor bu edi germaniy tranzistorining sirt to'siqlari tomonidan ishlab chiqilgan Philco 1953 yilda, qadar ishlashga qodir 60 MGts. Bular depressiyalarni ikkala tomondan N tipidagi germaniy asosiga zarbalar yordamida uchirish orqali qilingan Indiy (III) sulfat bir dyuymning o'n mingdan bir qismi qalinligigacha. Indium Depressiyalarga elektrokaplangan holda kollektor va emitent hosil bo'ldi.
Birinchi "prototip" cho'ntak tranzistorli radio INTERMETALL (tomonidan tashkil etilgan kompaniya) tomonidan namoyish etildi Herbert Mataré 1952 yilda) da Internationale Funkausstellung Dyusseldorf 1953 yil 29 avgustdan 1953 yil 6 sentyabrgacha. Birinchi "ishlab chiqarish" cho'ntak tranzistorli radiosi Regency TR-1, 1954 yil oktyabrda chiqarilgan. Regency Division of Development Development Engineering Associates, I.D.E.A. tomonidan ishlab chiqarilgan qo'shma korxona sifatida ishlab chiqarilgan. va Texas Instruments Texasning Dallas shtatidagi TR-1 Indiana shtatining Indianapolis shahrida ishlab chiqarilgan. Bu 4 ta tranzistor va bitta germaniy diodli cho'ntakka yaqin radio edi. Sanoat dizayni Chikagodagi Painter, Teague va Petertil firmalariga topshirilgan. Dastlab u olti xil rangning birida chiqarildi: qora, fil suyagi, mandarin qizil, bulutli kulrang, maun va zaytun yashil ranglari. Qisqa vaqt ichida boshqa ranglar ham kuzatilishi kerak edi.
Birinchi "ishlab chiqarish" barcha tranzistorli avtomobil radiosi Chrysler tomonidan ishlab chiqilgan va Philco korporatsiyalar va bu haqda 1955 yil 28 aprelda Wall Street Journal nashrida e'lon qilingan. Chrysler 1955 yil 21-oktabrda dilerlik avtoulov zallarida birinchi marta sotilgan Chrysler va Imperial avtomashinalarining yangi qatori uchun 1955 yilning kuzidan boshlab Mopar rusumli 914HR rusumli transistorli avtomobil radiosini tayyorladi.
The Sony 1957 yilda chiqarilgan TR-63 transistorli radiolarning ommaviy bozorga kirib borishiga olib keladigan birinchi ommaviy transistorli radio bo'ldi. boshladi.