Reja: Raqamli ims larning klassifikatsiyasi, markalanishi va sxemalarda shartli belgilanishi 2

KMDYa, markalanishi va xarakteristikalari

---

Komplementar MDYa –– tranzistorli elektron kalit. Bir turdagi MDYa – 
tranzistorlarda hosil qilingan kalitlarning kamchiligi shundaki, tranzistor ochiq 
bo‘lgan statik rejimda kalitdan doim tok oqib o‘tadi. Komplementar, ya’ni 
o‘tkazuvchanlik kanallari turi qarama-qarshi bo‘lgan MDYa – tranzistorlar asosida 
tayyorlangan elektron kalit bu kamchilikdan holi
KMDYa tranzistorli elektron kalit (invertor). 
QUE sifatida n – kanali induksiyalangan MDYa – tranzistor (VT1), YuE 
sifatida esa, r– kanali induksiyalangan MDYa –tranzistor (VT2) qo‘llanilgan. QUE 
sifatida n – MDYa – tranzistorning asosi kuchlanish manbaining musbat qutbiga, r– 
MDYa – tranzistorning asosi esa, sxemaning umumiy nuqtasiga ulanadi. Kirish 
signali ikkala tranzistorning zatvorlariga bir vaqtda beriladi. Sxema quyidagicha 
ishlaydi. Agar U
KIR
= 0 bo‘lsa, u holda, U
ZI1
= 0 bo‘ladi, demak, n – MDYa – 
tranzistorda kanal induktsiyalanmaydi, ya’ni tranzistor berk holatda bo‘ladi. Bu 
vaqtda VT2 ning zatvorida
<0 bo‘ladi. 
Bu vaqtda chiqish kuchlanishi manba kuchlanishiga deyarli teng bo‘ladi: 
. 
U
KIR
= Ye
M
bo‘lsin. Uholda, U
ZI1 
> U
01
, U
ZI2
= 0 bo‘ladi. Demak, n – MDYa 
tranzistorda kanal induksiyalanadi, ya’ni VT1 ochiq, r– MDYa tranzistor, ya’ni VT2 
esa berk bo‘ladi. Bu vaqtda umumiy zanjirdagi tok avvalgidek I
QOL
ga teng bo‘ladi. 
Kalit chiqishidagi qoldiq kuchlanish (14.1) ifodadan, indekslar o‘rnini almashtirib 
aniqlanadi: 
mkV.
Qoldiq kuchlanishning kichikligi komplementar kalitlarning afzalligi 
hisoblanadi. Sxema ikkala holatda ham quvvat iste’mol qilmasligi bu kalitlarning 
yana bir afzalligi hisoblanadi.
Komplementar MDYa – tranzistorli elektron kalitlarning afzalliklari yuqorida 
ko‘rib chiqilgan edi. Bu kalitlarning statik rejimda quvvat iste’moli o‘nlarcha 
М
М
КИР
ЗИ
E
E
U
U




2
М
СИ
М
ЧИК
E
U
E
U



2
3
2
)
(
01
1
2
1




U
E
B
I
U
М
КОЛ
КОЛ

---

nanovattni tashkil etib, tezkorligi esa 10 MGts va undan yuqori chastotalarda 
ishlashga imkon beradi. MDYa – tranzistorli RISlar ichida komplementar MDYa – 
tranzistorli MElar (KMDYa TM) yuqori halaqitbardoshlikka ega bo‘lib, kuchlanish 
manbai qiymatining 10÷45%nitashkiletadi. Yana bir afzalligi kuchlanish 
manbaidan samarali foydalanish hisoblanadi, chunki
mantiqiy o‘tish deyarli kuchlanishmanbaiqiymatigateng. 
Demak, RISlarkuchlanishmanbaiqiymatiningo‘zgarishigasezgiremas. KMDYa-
tranzistorliMEdakirishvachiqishsignallariqutblarivasathlarimostushadi, 
buesao‘znavbatidaMElarnio‘zarobevositaulashimkoniyatiniberadi. 
Maydoniy tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar 
Kalit elementi sifatida odatda kanali induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlar 
qo‘llaniladi, chunki ularda U
ZI
nolga teng bo‘lganda uzilgan kalit holati ta’minlanadi 
(tranzistor berk). 
Maydoniy tranzistorlar asosida yasalgan mantiqiy elementlar negizida aktiv 
element va yuklama MDYa – tranzistorda bajarilgan kalit sxema yotadi. Aktiv va 
yuklamadagi tranzistorlar bir xil yoki har xil o‘tkazuvchanlik turiga ega bo‘lgan 
kanaldan tashkil topgan bo‘lishi mumkin. Aktiv tranzistor zatvoriga yuqori 
potensialga (mantiqiy bir darajasi) berilsa uning stokidagi qoldiq kuchlanish 50-100 
mV ni (mantiqiy nol darajasi) ni tashkil etadi. Bu bilan inversiya amalga oshiriladi.