Samarqand davlat universetituti-2022

SAMARQAND DAVLAT UNIVERSETITUTI-2022

SAMARQAND DAVLAT UNIVERSETITUTI KIMYO FAKULTETI MATERIALSHUNOSLIK VA YANGI MATERIALLAR TEXNOLOGIYASI 410-GURUH TALABASI RAXMATOV JASURNING NANOKIMYO ASOSLARI FANIDAN BAJARGAN

KURS ISHI
MAVZU:NANOELEKTRONIKA

TUZUVCHI:_______________________________

O’QITUVCHI:________________________________

SANARQAND-2022

MAVZU: NANOELEKTRONIKA

REJA.
KIRISH

1. 
   Nanoelektronikani rivojlanish bosqichlari
   

ASOSIY QISM
2.1.Nanoelektronika va zamonaviy texnika.
2.2.Nanozarralar.
2.3.Uglerod nanotrubkalari.
2.4.Oltin nanozarrachalari.
2.5. IIa vaIIb qadam nanozarraning kattaligi bo’yicha.
2.6. Nanorobotlar davri
XULOSA.
FOYDALANILADIGAN ADABIYOTLAR.

KIRISH

1. 
   Nanoelektronikani rivojlanish bosqichlari
   

Nanotehnalogiya – bu moddalar bilan ishlashdan alohida atomlarni boshqarishga o’tishi: nanoo’lchamda moddani ko’plab mehanik, termodinamik , magnit va elektrik harakteriskalari holati o’zgarib ketadi. Masalan , oltin nanozarralari hajmiy oltin zarralaridan katalitik, feromagnitik, to’g’rilovchi optik hossalari, o’ziyig’ilishga qodirligi bilan farq qiladi.
Ular yorug’likni yahshi yutadi va sochadi, zaharsiz, kimyoviy stabil, biyomoskeluchi. Ularning intensiv bo’yashda(tovlanish) hozirda dedektirlash uchun, vizualiyashgan va biyotibbiyot obektlar miqdorni aniqlashda foydalanilmoqda [1-7]. Oltin nanozarralari butun boshli asboblar diyagnostika vositalardan tortib har hil turdagi sensorlar, optik tolali va kampyuter nanosxemalarini[8-9] yaratishda itiqbollidir. Ko’rsatilgan hususiyatlar tufayli oltin nanozarralari asosiy metodlari va tushunchalari bilan osson tushunarli universal obekt modili nanofanni tanishtirish uchun qulay rol o’ynashi mumkin,
Zamonaviy texnik tizimlar va vositalarni boshqarish hamda fan va texnikaning rivojlanishi elektronikaning etakchi tarmoqlaridan biri bo’lgan mikroelektronika hamda endigina paydo bo’layotgan nanoelektronika sohalarida faoliyat ko’rsatadigan malakali mutaxacsislarni tayyorlash bilan uzviy bog’liqdir.
Zamonaviy elektronika mahsulotlari bo’lmish integral mikrosxemalar, mikroprostessorlar, o’ta yuqori chastotali detektorlar, quyosh elementlari, lazerlar, elektron hisoblash mashinalar va o’ta yuqori xotirali tizimlar va boshqa noyob elektrik asboblarni yaratish yangi xususiyatga ega bo’lgan yupqa va o’ta yupqa ko’p komponentli qatlamlar tizimlarini yaratishni taqozo qiladi. Shu boisdan ham keyingi yillarda yupqa va o’ta yupqa qatlamlar hosil qilish texnologiyasi va fizikasiga bo’lgan e’tibor keskin ortib ketdi.
Yupqa plyonkalar olish va ularning xususiyatlarini o’rganish o’tgan asrning 70 yillardan boshlab qo’llanilib kelinayotgan an’anaviy usullari mavjud.
Bu usullar bilan olingan plyonkalarning qalinligi asosan bir necha mikrondan o’nlab mikrongacha bo’lib, ular qattiq jismli elektron asbobsozlikda hozirgi kunda ham muvaffaqiyatli qo’llanilib kelmoqda. Hozirgi vaqtga kelib yupqa (d10²10³ nm) va o’ta yupqa (d<100 nm) plyonkalar olishning zamonaviy molekulyar nurli epitaksiya(MNE), qattiq fazali epitakstiya(QFE), ionlar implatastiyasi va eng zamonaviy (nanoassembler) usullari orqali hosil qilish mumkin. Zamonaviy usullar yordamida asosan plyonka hosil qilish o’ta yuqori vakuum sharoitda olib borilishi, o’ta yaxshi tozalangan asos(taglik)lardan va atom(molekula) manbalaridan foydalanilishi, plyonkalarning mukammalligi(yuqori darajada tekisligi, bir jinsliligi, silliqligi, monokristalligi) bilan eski (tradistion) usullaridan tubdan farq qiladi.