Самостоятельная работа по предмету: Физические основы компьютера на тему: Транзистор Принял

Силовые NPT IGBT транзисторы Microsemi с рабочим напряжением 650 В для промышленных применений
Корпорация Microsemi объявила о начале поставок нового семейства силовых 650-В биполярных транзисторов с изолированным планарным затвором (NPT IGBT) со значениями рабочего тока 45, 70 и 95 A.
Новые биполярные транзисторы могут работать в жестких условиях окружающей среды и предназначены для использования в таких силовых устройствах, как солнечные инверторы, сварочные аппараты и импульсные источники питания. Благодаря меньшему значению потерь по сравнению с ближайшими аналогами (приблизительно на 8%), NPT IGBT транзисторы Microsemi способны повысить КПД конечных решений.
Новые модели обеспечивают частоту коммутации до 150 кГц, но этот уровень может быть увеличен при использовании транзисторов совместно с ключевым элементом диодов Microsemi, выполненных по карбидокремниевой технологии. Все представители нового поколения 650-В NPT IGBT транзисторов Microsemi производятся по усовершенствованной технологии Power MOS 8. Технологический процесс позволяет снизить полное значение коммутационных потерь и обеспечивает возможность работы элементов при значительно более высокой частоте коммутации по сравнению с конкурирующими решениями.
Биполярные транзисторы с изолированным планарным затвором можно включить параллельно (они обладают положительным температурным коэффициентом Vcesat) для повышения надежности силовых устройств. Также нормировано время устойчивости к короткому замыканию, что обеспечивает надежную работу устройств в тяжелых промышленных условиях.
Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов
Известно, что чем выше частота сигнала, поступающего на вход транзисторного каскада, тем меньше коэффициент усиления по току. Основной вклад в снижение усилительных свойств нужно отнести к барьерной ёмкости и отставанию переменных токов коллектора от эмиттера на время, необходимое для диффузии носителей заряда в области базы. Кроме того, ёмкости между корпусом и выводами транзистора пагубно влияют на усилительные свойства прибора.
Коллекторный переход транзистора обладает высоким сопротивлением. Повышение частоты приводит к снижению реактивной ёмкости коллекторного перехода, что приводит к его существенному шунтированию и ухудшению усилительных свойств каскада.
Носители заряда преодолевают область базы и рекомбинируют за небольшой конечный интервал времени, исчисляемый десятками наносекунд. Чем выше будет частота, тем существенней станет запаздывание носителей заряда. На постоянном токе сдвиг фаз между токами коллектора и эмиттера транзистора равен нулю, а полный ток базы минимален. На высокой частоте между переменными токами коллектора и эмиттера транзистора возникнет сдвиг фаз, которого не было на постоянном токе. При этом полный ток базы транзистора на высокой частоте много больше полного тока базы на низкой частоте и, тем более, на постоянном токе. Повышение тока базы для получения заданного фиксированного тока коллектора означает уменьшение коэффициента усиления транзистора по току.
Чтобы повысить граничную частоту усиления транзистора, необходимо выполнить область базы как можно меньшей толщины, повысить скорость прохождения через неё неосновных носителей зарядов, уменьшить ёмкость корпуса и выводов транзистора и прочее.