Самостоятельная работа по предмету: Физические основы компьютера на тему: Транзистор Принял

3. Схема включения транзистора с общей базой.
В каскаде, собранном по схеме с общей базой, напряжение входного сигнала подают между эмиттером и базой транзистора, а выходное напряжение снимают с выводов коллектор-база.
В данном случае эмиттерный переход компонента открыт и велика его проводимость. Входное сопротивление каскада невелико и обычно лежит в пределах от единиц до сотни Ом, что относят к недостатку описываемого включения транзистора. Кроме того, для функционирования каскада с транзистором, включённым по схеме с общей базой, необходимо два отдельных источника питания, а коэффициент усиления каскада по току меньше единицы. Коэффициент усиления каскада по напряжению часто достигает от десятков до нескольких сотен раз.
К достоинствам нужно отнести возможность функционирования каскада на существенно более высокой частоте по сравнению с двумя другими вариантами включения транзистора, и слабое влияние на работу каскада флюктуаций температуры. Именно поэтому каскады с транзисторами, включёнными по схеме с общей базой, часто используют для усиления высокочастотных сигналов.
Разновидности биполярных транзисторов
· Точечный транзистор - первый полупроводниковый прибор, в котором обнаружен эффект усиления. Это явление, при котором ток зонда повторяет изменение тока основного контакта при значительном обратном напряжении. При формировке контактов под иглами образуются слои: р-типа под эммитером, двойной p-n-слой под коллектором. Главным из отличий является то, что в этих структурах имеет место усиление тока в схеме с ОБ, т.е. б > 1. Допустимая рассеиваемая мощность таких приборов мала и составляет несколько 100мВт, I_ко ? 1ч2 мА, r_к =7ч15 кОм, r_э ? r_б= до 500 Ом, т.е. параметры их значительно хуже, чем у плоскостных. И сегодня они с успехом заменены дрейфовыми и лавинными транзисторами.
· Лавинный транзистор - прибор, использующий ударную ионизацию в коллекторном переходе, которая дает возможность получить S-образную (неоднозначную по напряжению) выходную характеристику в схеме с ОЭ. Упрощенная формула для сопротивления:
r_k= U_M (-dб/dI_э) / [n (1-б) (^n-1) /n].
Таким образом, характеристики лавинного транзистора напоминают характеристики тиристора или тиратрона. Интересно отметить, что в случае I_б > 0 "отрицательный участок" в принципе тоже возможен, но для этого требуется весьма критическое сочетание параметров.
Основным недостатком такого прибора является высокое коллекторное напряжение.
· Однопереходный транзистор (ОПТ) - это прибор с "отрицательным" сопротивлением, в котором ток нагрузки может возрастать даже при уменьшении U_вх. Если ОПТ находится во включенном состоянии, то выключить его можно, лишь размыкая цепь, либо снимая U_вх. На ОПТ реализуют различные источники запускающего напряжения. Можно подать U_см < U_пор (точка включения), тогда при подаче большого U_зап (переменное или постоянное) происходит его включение. При этом вырабатывается выходной импульс или сигнал высокого напряжения, который сохраняется до разрыва цепи.
· Статистический индукционный транзистор (СИТ) представляет собой ПТ с управляющим p-n-переходом, который может работать как при обратном (режим ПТ), так и при прямом (режим БТ) смещении затвора. В отличии от БТ обратное напряжение, подаваемое на затвор транзистора, может достигать 30 В, что значительно ускоряет процесс рассасывания неосновных носителей, которые появляются в канале при прямом смещении затвора. СИТ, как и БТИЗ, имеет большую емкость затвора, перезаряд которой требует значительных токов управления. Достоинством СИТ по сравнению с БТ является повышенное быстродействие. Время включения практически не зависит от режима работы, время выключения зависит от соотношения токов стока и затвора. Специфической особенностью СИТ, затрудняющей его применение в качестве ключа, является его нормально открытое состояние при отсутствии управляющего тока. К достоинствам СИТ следует также отнести малое сопротивление канала в открытом состоянии, которое составляет 0,1 - 0,025 Ом.