Science and world

 

Х.М. Мадаминов, кандидат физико-математических наук, доцент
Андижанский государственный университет, Узбекистан 
Аннотация. В статье приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик p-Si–n-
Si
1-x
Sn
x
(0

x

0.04) переходов в температурном интервале от 293 до 453 К. На основе этих данных были 
определены энергии активации двух глубоких уровней со значениями 0.21 eV и 0.35 eV, которые приписываются 
междоузельным атомам Sn и А-центрам, соответственно. 
Ключевые слова: твердый раствор, жидкофазная эпитаксия, диодная структура, вольт-амперная 
характеристика, промежуточный слой. 
 
Твердый раствор Si
1-x
Sn
x
– является одним из перспективных материалов для полупроводниковой 
микроэлектроники. Практический интерес представляет изготовление различных гетероструктур на основе Si
1-
x
Sn
x
на доступных кремниевых подложках и исследование их структурных и электрофизических свойств. В 
наших предыдущих работах, например, в [4], обоснована перспективность использования твердых растворов 
Si
1-x
Sn
x
(0≤x≤0.04), полученных на кремниевых подложках, в качестве активного материала при изготовлении 
инжекционных диодов. А также полученные результаты в [3] позволили сделать следующие выводы: в твердом 
растворе Si
1−x
Sn
x
(0≤x≤0.04) существенную роль при формировании электрофизических свойств играет 
рассеяние носителей заряда не только на сложных комплексах, но и на нановключениях; установлена 
эффективность использования эпитаксиальных пленок твердых растворов Si
1−x
Sn
x 
(0≤x≤0.04), полученных на 
кремниевых подложках, как перспективных материалов при разработке диодов, функционирующих в режиме 
двойной инжекции. 
Исходя из выше перечисленного, в данной работе исследовалось влияние температуры на вольт-
амперных характеристик (ВАХ) структур p-Si-n-Si
1-x
Sn
x
(0

x

0.04). Структуры изготавливались выращиванием 
на p-Si монокристаллических подложках с толщиной 400 

m и удельным сопротивлением 1 

cm твердого 
раствора Si
1-x
Sn
x
(0

x

0.04) n-типа проводимости методом жидкофазной эпитаксии из Sn раствора-расплава. 
Выращенные слои n-Si
1-x
Sn
x
в зависимости от начала и окончания температуры кристаллизации и скорости 
охлаждения имели толщину от 15 до 45 

m, удельное сопротивление ~ 0.6-1.0 

cm и концентрацию носителей 
~ 10
17
cm
-3
. 
Для измерения ВАХ к структуре методом вакуумного напыления создавались омические контакты – 
сплошные с тыльной стороны и четырехугольные с площадью 9 mm
2
из серебра со стороны эпитаксиального 
слоя. ВАХ, представленные на рис. 1, регистрировались в температурном диапазоне 293-453 К. Исследования 
ВАХ показали, что с ростом температуры как в прямом, так и в обратном направлениях плотность тока (J) 
растет, но закономерности J = f(V) сохраняются для всех температур.
© Мадаминов Х.М. / Madaminov Kh.M., 2021 

---