Science and world

ISSN 2308-4804. Science and world. 2021. № 12 (100). Vol. II.
7 
-2
-1
0
1
2
-50
0
50
100
150
200
250
J
, 
(mA
/c
m
2
)
V, (V)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
 
 
 
Рис. 1. ВАХ структуры p-Si-n-Si
1-x
Sn
x
 (0

x

0.04) при 
различных температурах. Т, К: 1 – 293, 2 – 313, 3 – 333, 4 
– 353, 5 – 373, 6 – 393, 7 – 413, 8 – 433, 9 – 453. 
 
Рис. 2. Зависимость удельной проводимости – 1/

 от 
обратной температуры – 1/Т высокоомного слоя 
твердого раствора n-Si
1-x
Sn
x
. 
Определено, что начальный участок ВАХ (до 0.2 V) хорошо описывается экспоненциальной 
зависимостью Стафеева [2] характерной для так называемого «длинного» p-n структурного диода, 
усовершенствованной в [1] для p-i-n структур: 








ckT
qV
J
J
exp
0
(1) 
1
1
)
/
(
2




b
L
d
ch
b
c
p
(2) 
где b=

n
/

p
– отношение подвижностей электронов и дырок. Значения показателя с в экспоненте и 
предэкспоненциального множителя – J
о
, вычисленные из данных ВАХ для различных температур, приведены в 
таблице 1. 
Таблица 1 
Характеристические параметры твердого раствора n-Si