Схемотехника фани, мазмуни ва усуллари

Юклама қобилияти ѐки К
ТАРМ 
коэффициенти 
VT3 транзисторнинг 
максимал коллектор токидан келиб чиққан ҳолда аниқланади. Бу вақтда 
K
ТАРМ 

I
Кмах 
/ I
кир 
деб ѐзиш мумкин. Бу ерда I
0
кир 
– ИМС маълумотномасидан олинадиган параметр. 
I
Кмах 
= Е
М
/R4=30 мА бўлгани сабабли, I 
кир 
= 1,35 мА бўлганда К
ТАРМ 
= 22. 
Хулоса қилиб шуни айтиш мумкин-ки, 10.3 – расмда кириш занжирида 
пунктир билан тасвирланган диодлар акс-садога қарши диодлар деб аталади ва 
мувофиқлашмаган линия охирларидан қайтган манфий сигналлар (халақитлар) 
амплитудасини чеклаш учун қўлланилади. Бу сигналлар иккита 
p-n ўтиш 
(диоднинг p-n ўтиши ва КЭТ эмиттер ўтиши) оралиғида бўлиниб, МЭни ѐлғон 
қайта уланишдан сақлайди. 
53

---

1 
* 
1 
Ҳозирги вақтда ТТМ негиз элементларининг кўп сонли модификациялари 
яратилган. Ҳар бир модификация параметрлари ѐки қўшимча имкониятлари билан 
ажралиб туради. 
Масалан, чиқиш каскадида ток бўйича катта кучайтириш коэффициентига 
эга бўлган таркибий транзисторлар қўлланиши юклама қобилиятини оширади 
(10.4, а – расм). Схеманинг ишлаш принципи ўзгармайди. Таркибий транзистор 
(VT4 ва VT2 транзисторлар) VT3 инверторнинг динамик юкламасини ҳосил 
қилади. Масаланинг бундай ечилиши барча резисторлар номиналларини икки 
баробар кичрайтиришга ва бу билан тезкорлик ва юклама қобилиятини оширишга 
имкон беради. А ва В нуқталар оралиғида иккита кетма – кет уланган 
транзисторларнинг p-n ўтишларининг мавжудлиги эса VD диод бўлишини талаб 
қилмайди. 
Шоттки диоди ва транзисторларини қўллаш ѐрдамида (10.4, б – расм) ТТМ 
элементининг тезкорлиги оширилган (ТТМШ). Улар транзистор базасида ортиқча 
зарядларни чиқариб юбориш вақтини сезиларли камайтириш ѐки умуман 
йўқотишга имкон берадилар. Натижада импульс камайиб бориш вақтидаги 
кечикиш камаяди. Лекин тезкорлик ортиши билан ТТМШ статик параметрлари 
ѐмонлашади. Хусусан, бўсағавий кучланиш қиймати камаяди ва U
0
ЧИҚ 
ортади, бу 
эса ўз навбатида оддий схемаларга нисбатан халақитбардошликни пасайтиради. 
ТТМШ КИСларнинг негиз элементи ҳисобланади. 
Икки йўналишли ахборот шиналари ѐки магистрал қурилмалар яратишда, 
бир неча схема чиқишларини бирлаштириш талаб қилинади. Агар элементлар 
уланаѐтганда, улардан бирининг чиқишида паст U
0
ЧИҚ 
сатҳ, иккинчисида эса юқори 
U 
ЧИҚ 
сатҳ бўлса, у ҳолда кетма – кет уланган VT2 ва VT3 транзисторлардан 
биридан сизилиш токи 
I
сиз 
≈ (Е
М 
– U ) /R4 оқиб ўтади. Бу ток статик 
режимдаги манба токидан анча катта. Бу вақтда истеъмол қилинаѐтган қувват 
кескин ортади ва схема ишдан чиқиши мумкин, чунки VT2, VT3 транзисторлар ва 
VD диод узоқ муддат катта ток оқиб ўтишига мўлжалланмаган. Бу ҳолат юзага 
келмаслиги учун чиқиши учта ҳолатга эга бўлган: икки ҳолат – бу оддий U
ЧИҚ 
= U
0 
ва U
ЧИҚ 
= U 
сатҳлар, учинчиси эса– элемент юкламадан буткул узиладиган 
“чексиз катта” чиқиш қаршилиги ҳолатини таъминлайди, яъни ток истеъмол 
қилмайдиган ва узатмайдиган ТТМ элементлар яратилган. 
а) 
б) 
54

---

в) 
г) 
10.4 – расм. ТТМ МЭнинг турли схема вариантлари. 
Бунинг учун мураккаб инверторли схемага қўшимча VT4 транзистор ва R5 
резистор уланади (10.4, в – расм). Бошқарувчи кириш Z га U
0
КИР 
кучланиш 
берилса, VT4 транзистор берк бўлиб, схема оддий элемент каби ишлайди. 
Бошқарувчи кириш Z га U
1
КИР 
кучланиш берилса, VT4 транзистор тўйиниш 
режимига ўтади, VT1, VT2 ва VT3 транзисторлар эса беркилади (учинчи ҳолат). Бу 
учинчи ҳолат мантиқий киришлардаги ахборот сигналлари комбинациясига боғлиқ 
эмас. Бундай элементлар чиқишларини умумий юкламага улаш мумкин, чунки 
ихтиѐрий вақт моментида юкламага фақат битта элемент “хизмат кўрсатади”, 
қолган элементлар эса учинчи ҳолатда бўлади. 
ТТМнинг бошқа сериялари таркибида махсус элементлар бўлиши мумкин. 
Улар бу серия имкониятларини ошириш учун мўлжалланган. Улардан бирини 
кўриб чиқамиз.