Схемотехника фани, мазмуни ва усуллари

параметрлари деб қараш мумкин. Унинг учун махсус U
* 
белгилаш киритилади. 
Хона температурасида нормал режимда U
*
=0,7 В, микрорежимда эса U
*
=0,5 В. 
Агар тўғри кучланиш U
* 
кучланишдан атиги 0,1 В га кичик бўлса, ўтиш деярли 
берк ҳисобланади, чунки бу кучланишда токлар номиналдан ўнлаб марта кичик 
бўлади. 
Юқори тезкорликка эришиш учун ТТМ транзисторлари нормал ток 
режимида ишлайдилар. Шунинг учун схеманинг статик режимини таҳлил қилишда 
қуйидаги соддалаштиришлар қабул қилинган, агар: 
- p-n ўтиш орқали тўғри ток оқиб ўтаѐтган бўлса, у ҳолда ўтиш очиқ ва 
ундаги кучланиш U
*
=0,7 В; 
- p-n ўтиш кучланиши тескари, ѐки U
* 
дан кичик бўлса, у ҳолда ўтиш берк ва 
оқиб ўтаѐтган ток нолга тенг; 
- транзистор тўйиниш режимида бўлса, у ҳолда коллектор – эмиттер 
оралиғидаги кучланиш U
*
КЭ.ТЎЙ
=0,3 ÷ 0,4 В. 
ТТМ элементнинг иш механизмини кўриб чиқамиз. Уланиш схемасига 
биноан КЭТ базасининг потенциали (Б) доим унинг коллектори потенциалидан 
юқори бўлади. Демак, КЭТ КЎ доим тўғри силжиган бўлади. Транзистор ЭЎларига 
келсак, улар эмиттер потенциалларининг умумий шинага нисбатан уланишига 
боғлиқ. 
Дейлик, барча киришлар (Х1 ва Х2) потенциаллари кучланиш манбаи 
потенциалига тенг бўлган максимал қийматга эга бўлсин. Бунда мантиқий 1 сатҳ 
шаклланади, яъни U
1
=Е
М 
эканлиги равшан. У ҳолда барча ЭЎлар тескари 
йўналишда уланган бўлади, чунки база потенциали (Б) R1 даги кучланиш 
пасайиши ҳисобига доим эмиттер потенциалидан паст бўлади. КЭТ таркибидаги 
параллел ишлаѐтган транзисторлар инверс уланган бўлади. Айтиб ўтилганидек, 

И 
кичик бўлганлиги сабабли, ҳисоблашларда эмиттер токини нолга тенг деб олинади, 
I
0 
ток эса кетма – кет уланган КЭТнинг коллектори ва VT1 нинг ЭЎ орқали оқиб 
ўтади. I
0 
қиймати R1 резистор қаршилиги қиймати билан чекланади ва 
I
0 

(E
M 

2U
*
) / R1 
. 
R1 шундай танланади-ки, КЭТ токи, демак, VT1 база токи транзисторни 
тўйиниш шартига мос келсин. Бунда VT1 транзистор очилади ва чиқиш кучланиши 
U
*
КЭ.ТЎЙ 
га тенг бўлиб қолади. Бу эса мантиқий нол сатҳга тенг, яъни U
0 
= U
*
КЭ.ТЎЙ 
≤ 
0,4 В. Демак, барча киришларга мантиқий 1 берилса, чиқишда мантиқий 0 ҳосил 
бўлади. 
Энди аксинча ҳолатни кўриб чиқамиз. Барча киришлар (Х1 ва Х2) 
потенциали нолга тенг ѐки шу қийматга яқин бўлсин: U
Х 
= U
0 
= 0. У ҳолда барча 
ЭЎлар КЎ каби тўғри йўналишда силжиган бўлади. Барча транзисторлар тўйиниш 
режимига ўтадилар. Бу ҳолатда I
0 
ток ҳам очиқ ЭЎларидан, ҳам КЭТнинг очиқ 
КЎдан оқиб ўтиши мумкин. Ток КЭТ ЭЎлардан оқиб ўтаѐтганда бу ўтишлардаги 
50

---

М 
кучланиш +0,7 В га тенг бўлади. Параллел уланган ЭЎларга эга КЭТни икки 
баробар катта ҳажмдаги ягона транзистор деб қараш мумкин. 
КЭТ КЎдан оқиб ўтаѐтган ток деярли нолга тенг, чунки унга VT1 нинг ЭЎи 
кетма – кет уланган. Ток бу занжирдан оқиб ўтиши учун, КЭТ база потенциали 
2U
*
=1,4 В га тенг бўлиши керак. Демак, VT1 очиқ, эмиттер ва коллекторнинг 
қолдиқ токларини нолга тенг деб ҳисоблаш мумкин. Чиқиш кучланиши эса Е га 
яқин бўлади, яъни мантиқий 1 сатҳини U