Statik invertorlar haqida umumiy ma'lumot

7. 6.O'z- o'zidan qo'zg'aluvchan bir davrli tranzistorli inverter.
o'z-o'zini ishlab chiqarish rejimini ta'minlaydigan ijobiy geribildirim mavjudligi .
Bir davrli o'z-o'zidan qo'zg'aluvchan invertorning sxematik diagrammasi 7.10-rasmda va uning ishlashini tushuntiruvchi vaqt diagrammalari 7.11-rasmda ko'rsatilgan.
7.10-rasm. O'z-o'zidan qo'zg'aluvchan bir davrli invertorning sxematik diagrammasi.
Ta'minot kuchlanishi U _{in qo'llanilganda,} R 1, R 2 zanjiri tufayli quvvat tranzistori VT (7.10-rasm) ochiladi va uning kollektor oqimi i _k kuchayadi va uni quyidagicha yozish mumkin:
(7.1)
bu erda L ₁ ‑quvvat transformatorining magnitlanish indüktansı Tr , uning asosiy sarg'ishiga tushiriladi, uning burilish soni W ₁ ; Men kuchli tranzistorning kollektorining dastlabki oqimining _{boshlanishiga} ‑_{va indüktans} L1 bilan o'rash , nolga teng bo'lishi mumkin ( 7.11a-rasm).

7.11-rasm. Inverterning harakatlarini tushuntiruvchi vaqt diagrammasi shakl. 7.10.
t ₁ gacha bo'lgan vaqt oralig'ida kuchli tranzistor VT kollektoridagi oqim va quvvat transformatorining magnitlanish induktivligi L 1 chiziqli ravishda oshadi va t _{1 vaqtida} maksimal qiymatga etadi:
(7.2)
(7.3)
bu erda t _{ochiq -} ‑umumiy emitentli kommutatsiya pallasida tranzistor VT ning ochiq holatining davomiyligi ; I _{B nom nominal tayanch oqimi,} ‑ta'minot kuchlanishini uzatish vaqtida R 1, R 2 rezistorli ajratuvchi tomonidan o'rnatiladi .
Shaklning sxemasida ijobiy fikr. 7.10. W _B burilishlar soni bilan tranzistorning asosiy pallasida kiritilgan transformatorning qo'shimcha o'rashi bilan ta'minlanadi. t \u003d t ₁ vaqtida , W _B o'rashida i _k \ u003d I _{k max} bo'lganda , bazada blokirovkalash kuchlanishi hosil bo'ladi va tranzistor VT yopiladi. T ₁ dan t ₂ gacha bo'lgan vaqt oralig'ida tranzistor VT ning kesish rejimida transformatorning magnitlanishining L 1 induktivligidagi oqim kamayadi, chunki to'plangan energiya yukda t _{2 vaqtida iste'mol qilinadi,} oqim. i _k \u003d i _{1 (7.11a-rasm) nolga etadi,} VT bazasida blokirovkalash kuchlanishi yo'qoladi . T \ u003d t ₂ vaqtida tranzistor VT R 1 i _B \u003d I _B tetikleyici rezistor orqali oqim tufayli ochiladi (7.11b-rasm).
VT bazasidagi kuchlanish va inverterning chiqishi quyidagi munosabatlardan aniqlanadi:
(7.4)
(7.5)
Kommutatsiya chastotasi V _in va R _{n ga bog'liq} .
Kuchli tranzistorning kollektor oqimiga katta o'tish yuklari shakldagi kontaktlarning zanglashiga olib keladigan asosiy kamchiligidir. 7.10.
O'z-o'zidan qo'zg'aluvchan bir davrli kuchlanish konvertorida kommutatsiya ortiqcha yuklarini kamaytirish uchun quyidagilar qo'llaniladi:
· oqim sensori rolini o'ynaydigan qarshilik va kuchli tranzistorning kirishini o'tkazuvchi ikkinchi tranzistorni VT emitent sxemasiga (7.10-rasm) kiritish;
· vaqt RC zanjirlar;
· chiziqli bo'lmagan to'yingan transformatorlar va choklar.