Study of the thermal and temperature conditions of flat and inclined lands tekis va qiyalik yerlarning issiqlik va temperatura rejimini o

* GULISTON DAVLAT UNIVERSITETI AXBOROTNOMASI,
Tabiiy va qishloq xo‘jaligi fanlari seriyasi. 2021. № 1
13 
molar content of ZnSe reaches its maximum value х = 0.80, which is possibly due to the high 
saturation of the solution-melt at the crystallization front with zinc selenide. Further, the molar content 
of ZnSe slowly decreases, reaching the value of х = 0.04 on the near-surface region of the epitaxial 
film.
Since the growth of the epitaxial layer is carried out from a limited volume of the solution-melt 
and since the solubility of ZnSe is an order of magnitude lower than the solubility of GaAs in tin at the 
given temperature, then with the growth of the film, after the intense introduction of zinc selenide into 
the solid phase, the solution-melt is depleted of ZnSe, which leads to further gradual decrease in the 
molar content of ZnSe in the direction of growth. At the depth of up to 2 μm from the film surface, the 
molar content of ZnSe does not exceed 10 mol%. Thus, the grown film is the graded-gap 
substitutional solid solution (GaAs)
1-x
(ZnSe)
x
(0 

x 

0.80) with a smoothly (but not monotonously) 
varying composition. A wide-gap layer enriched in ZnSe is formed between the substrate and the 
near-surface region of the film. 
Fig. 7. Distribution profile of Ga, As, Zn and Se atoms in the epitaxial layer of the (GaAs)
1-
x
(ZnSe)
x
solid solution. 
Conclusion 
Thus, in this work, we have shown the possibility of growing an epitaxial layer of the solid 
solution (GaAs)
1-x
(ZnSe)
x
of molecular substitution. Necessary condition for obtaining such a solid 
solution is the existence of the components of the solid solution in the liquid solution in the form of 
molecules, and not in the form of individual atoms, as well as the saturation of the solution-melt with 
molecules of the components of the solid solution. 
References: 
1. A. Ballabio, S. Bietti, A. Scaccabarozzi, L. Esposito, S. Vichi, A. Fedorov, A. Vinattieri, C. 
Mannucci, F. Biccari, A. Nemcsis, L. Toth, L. Miglio, M. Gurioli, G. Isella, S. Sanguinetti. Sci. Rep., 
9, (2019). doi:10.1038/s41598-019-53949-x 
2. M. Feifel, D. Lackner, J. Ohlmann, J. Benick, M. Hermle, F. Dimroth. Sol. RRL, 3, 1900313 
(2019). doi:10.1002/solr.201900313 
3. A. A. Geldash, V. N. Djuplin, V. S. Klimin, M. S. Solodovnik, O. A. Ageev. J. Phys. Conf. Ser., 
1410, 012030 (2019). doi:10.1088/1742-6596/1410/1/012030
4. S. P. Suprun, V. N. Sherstyakov, Е. V. Fedosenko. Epitaksiya ZnSe na GaAs pri ispolzovanii v 
kachestve istochnika soyidineniya ZnSe. Fizika i texnika poluprovodnikov, 2009, tom 43, vyp. 11, 
str.1570-1575. 
5. Yu. N. Bobrenko, S. Yu. Paveles, А. M. Paveles, N. V. Yaroshenko. Fotoelektricheskie 
preobrazovateli s varizonnimi sloyami na osnove ZnSe. Fizika i texnika poluprovodnikov, 2013, tom 
47, vyp. 10, str.1381-1384. 

---