Study of the thermal and temperature conditions of flat and inclined lands tekis va qiyalik yerlarning issiqlik va temperatura rejimini o

* GULISTON DAVLAT UNIVERSITETI AXBOROTNOMASI,
Tabiiy va qishloq xo‘jaligi fanlari seriyasi. 2021. № 1
12 
which are involved in the formation of covalent bonds with three neighboring Ga atoms - bonds (5), 
(6) and (7) (see Fig. 6). The remaining two valence electrons participate in the formation of the bond 
with the Ga* atom - bond (4) (see Fig. 6). Since bonds (1), (2), (3), (5), (6) and (7) are formed by the 
sharing of electrons of neighboring Ga and As atoms, and bond (4) is only due to two electrons of the 
As* atom, then, apparently, the ionic fraction of the chemical bond (4) is stronger than the others. 
Consequently, relationship (4) is stronger than the others. 
Fig. 6. GaAs tetrahedral lattice. The dark circles represent electrons forming covalent bonds 1–7. 
When GaAs is dissolved in the tin solvent at 650-750°C, the energy of thermal vibrations and 
the forces of interaction of Sn and GaAs atoms is sufficient to break covalent bonds (1), (2), (3), (5), 
(6) and (7) , however, not enough to break the connection (4). Due to this, dissolved GaAs molecules 
will exist in the solution-melt, and not separate Ga and As atoms. A similar situation occurs when 
ZnSe dissolves in Sn at 650-750

С. Apparently, in binary compounds, there are asymmetries of the 
forces of interaction between the atoms of cations and anions. 
Based on the principle of similarity, i.e., like dissolve in like, it can be assumed that at the initial 
moment of growth of the epitaxial layer, crystallization of gallium arsenide layers occurs, since at the 
selected epitaxy temperature, the solution-melt is saturated with GaAs. At lower temperatures, 
conditions are created for growing the (GaAs)
1-x
(ZnSe)
x
solid solution, since at these temperatures the 
solution-melt at the crystallization front becomes supersaturated by gallium arsenide and zinc 
selenide. The samples were grown at different values of the parameters of liquid epitaxy. The distance 
between the upper and lower substrates (d), the beginning and end of the crystallization temperature 
(T), and the rate of forced cooling of the tin solution-melt (

) were varied. The epitaxial layers 
investigated in this work were obtained at the distance between the upper and lower substrates d = 1 
mm, the temperature of the beginning of crystallization T = 720°C, the temperature of the end of 
crystallization T = 650 ° C, and the cooling rate 

= 1 deg/min. The thickness of the grown films was 
4 μm. The grown films had a hole-type conductivity. Several electrophysical parameters were 
determined by the Hall method. At room temperature, the resistivity of the epitaxial layers was 0.18 
Ohm

cm, the Hall mobility was 60 cm
2
/(V

s), and the concentration of the majority carriers was 2

10
18
cm
-3
. The dislocation density at the interface is ~ 10
7
cm
-3
, and on the surface of the epitaxial film ~ 
4.10
5
cm
-3
. The band gap of the near-surface layer of the (GaAs)
0.96
(ZnSe)
0.04
solid solution is E
g
= 
1.46 eV. 
The chemical composition of the epitaxial layers of the (GaAs)
1-x
(ZnSe)
x
solid solution was 
investigated on Jeol JSM 5910 LV-Japan X-ray microanalyzer. In fig. 7 shows the profile of the 
distribution of Ga, As, Zn, and Se atoms over the depth of the epitaxial layer. Fig. 7 that the growth 
kinetics of the (GaAs)
1-x
(ZnSe)
x
films is due to the intense substitution of GaAs molecules by ZnSe 
molecules at the sites of the crystal lattice of the solid solution. At the layer thickness of 0.6 μm, the 

---