Study of the thermal and temperature conditions of flat and inclined lands tekis va qiyalik yerlarning issiqlik va temperatura rejimini o

* GULISTON DAVLAT UNIVERSITETI AXBOROTNOMASI,
Tabiiy va qishloq xo‘jaligi fanlari seriyasi. 2021. № 1
9 
Fig. 1. Diagram of a graphite cassette with horizontally located substrates and a solution-melt 
(thickness of the solution-melt - d = 1 mm). 
To prepare the solution-melt, the solubilities of GaAs and ZnSe in Sn were studied in the 
temperature range 650-750

C by the method of weight loss of gallium arsenide and zinc selenide 
samples placed in liquid tin and kept in it until the solution was saturated. The state diagrams of 
binary systems Ga-Sn, As-Sn, Zn-Sn and Sn-Se were also studied. 
Results and its discussion 
In fig. 2 shows data on the solubility of GaAs and ZnSe in tin as a function of temperature. The 
data for ZnSe are taken from Vikram Kumar [9]. 
600
700
800
900
0
4
8
12
16
Ga
As
, mo
l. %
T
,
о
C
600
650
700
750
800
850
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
ZnSe, mo
l.%
T, 
o
C
а) b) 
Fig. 2. Dependence of the solubility of GaAs (a) and ZnSe (b) in Sn on temperature. 
In fig. 3 the diagrams of states of binary systems Ga-Sn (a), As-Sn (b), Zn-Sn (c) and Sn-Se (d) 
are presented. These results were taken from the work of M. Hansen and K. Anderko [10]. 
We assume that dissolved compounds of GaAs and ZnSe in liquid tin, at a temperature of 
750

650

С, are found mainly in the form of GaAs and ZnSe molecules, and not in the form of 
individual atoms of Ga, As, Zn and Se. This assumption is based on the analysis of the solubility of 
GaAs and ZnSe (Fig. 2) in Sn, as well as the phase diagrams of binary systems Ga-Sn, As-Sn, Zn-Sn 
and Sn-Se (Fig. 3). The decomposition of GaAs molecules, upon dissolution in Sn, into individual Ga 
and As atoms, according to the phase diagram of the alloys (Fig. 3 a, b), is equivalent to the 
simultaneous dissolution of Ga and As in tin (Fig. 4 b). As can be seen from Fig. 3 a, at temperatures 

---