Study of the thermal and temperature conditions of flat and inclined lands tekis va qiyalik yerlarning issiqlik va temperatura rejimini o

* GULISTON DAVLAT UNIVERSITETI AXBOROTNOMASI,
Tabiiy va qishloq xo‘jaligi fanlari seriyasi. 2021. № 1
8 
тетраэдрической решетке каждый атом Ga образует 4 связи с четырьмя соседними атомами As, 
три из которых образованы обобществлением электронов соседних атомов Ga и As, а четвертая 
только за счет двух валентных электронов атома As. По-видимому, ионная доля четвертой 
химической связи более сильнее остальных трех.
Ключевые слова: твердый раствор, растворимость, насышенный раствор, ковалентная 
связь, кристаллизация, жидкофазная эпитаксия, эпитаксиальный слой, диаграмма состояния.
 
Аннотация. GaAs (100) тагликларга молекуляр ўрин алмашиниш асосида узлуксиз 
ўзгарувчи (лекин монотон бўлмаган) таркибли (GaAs)
1-x
(ZnSe)
x
(0 

x 

0.80) қаттиқ қоришма 
қатламлари чекланган ҳажмдаги қалайли эритмадан суюқ фазали эпитаксия усули билан
ўстирилган. GaAs, ZnSe бинар бирикмаларнинг қалайдаги эрувчанлигини ва Ga-Sn, As-Sn, Zn-
Sn, Sn-Se икки таркибли тизимлар ҳолат диограммаларини ўрганиш натижалари асосида бинар 
бирикмалар қалайли эритмада уларнинг эриш ҳароратидан паст бўлган -650

750

С 
ҳароратларда эритилганда асосан GaAs ва ZnSe молекулалари ҳолатида бўлиши кўрсатилган. 
650

750

С ҳароратлар оралиғида GaAs нинг қалайдаги эрувчанлиги ~ 2.6 дан ~ 5.5 мол.%
оралиқларда ва ZnSe нинг эрувчанлиги ~ 0.2 дан ~ 0.35 мол.% оралиқларда ўзгариши 
кўрсатилган. Ga ва Zn нинг қалайда эрувчанлиги чекланмаган, As нинг эрувчанлиги 70 ат.% 
дан юқори, Se нинг эрувчанлиги эса 5 ат.% дан юқори. Галлий ва маргумуш атомлари 
валентликларининг фарқи ҳисобига тетраэдрик панжарада жойлашган қўшни Ga ва As
атомлар орасидаги химиявий боғланиш кучлари бир хил эмаслиги кўрсатилган. Тетраэдрик 
панжарада ҳар бир Ga атоми қўшни тўртта As атомлари билан тўртта боғ ҳосил қилиб, улардан 
учтаси қўшни Ga ва As атомларининг биттадан валент элентронларининг умумлашуви асосида 
ҳосил бўлади, тўртинчи боғ эса фақат As атомининг иккита валент электрони ҳисобига ҳосил 
бўлади. Тўртинчи боғдаги ион боғланишнинг улуши қолган учта боғланишдагига нисбатан 
кучлироқ бўлиши тахмин қилинган.