Study of the thermal and temperature conditions of flat and inclined lands tekis va qiyalik yerlarning issiqlik va temperatura rejimini o

Email: [e-mail]
3
Tashkent State Economic University, 100003. Tashkent, st. Uzbekistan shoh kuchasi 49,
Email: [e-mail] 
Abstract. Layers of (GaAs)
1-x
(ZnSe)
x
(0 

x 

0.80) molecular substitution solid solutions with 
a smoothly (but not monotonically) varying composition on monocrystal GaAs (100) substrates were 
grown by liquid-phase epitaxy from a limited volume of a tin solution-melt. Based on the results of 
the solubility of GaAs, ZnSe in tin and the phase diagram of binary systems Ga-Sn, As-Sn, Zn-Sn and 
Sn-Se, it is shown that binary compounds in the tin solvent at temperatures of 650-750°C are below 
the melting point of the corresponding materials are found mainly in the form of GaAs and ZnSe 
molecules. Moreover, in the temperature range 650-750

C, the solubility of GaAs in tin varies from ~ 
2.6 to ~ 5.5 mol%, and ZnSe - from ~ 0.2 to ~ 0.35 mol%, the solubility of gallium and zinc is 
unlimited, and the solubility of arsenic is more than 70 at.%, selenium - more than 5 at.%. It is shown 
that due to the difference in the valence of gallium and arsenic atoms, the forces of chemical bonds 
between neighboring Ga and As atoms located in the tetrahedral lattice are not the same. In the 
tetrahedral lattice, each Ga atom forms 4 bonds with four neighboring As atoms, three of which are 
formed by the sharing of electrons of neighboring Ga and As atoms, and the fourth one only due to the 
two valence electrons of the As atom. Apparently, the ionic fraction of the fourth chemical bond is 
stronger than the other three.
Keywords: solid solution, solubility, saturated solution, covalent bond, crystallization, liquid-
phase epitaxy, epitaxial layer, phase diagram.
 
Аннотация. Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема оловянного 
раствора-расплава выращены слои твердых растворов (GaAs)
1-x
(ZnSe)
x
(0 

x 

0.80) 
молекулярного замещения с плавно (но не монотонно) изменяющимся составом на 
монокристаллических GaAs (100) подложках. На основе результатов растворимости GaAs, 
ZnSe в олове и диаграммы состояний двойных систем Ga-Sn, As-Sn, Zn-Sn и Sn-Se показано, 
что бинарные соединения в оловянном растворителе при температурах 650

750

С - ниже 
температуры плавления соответствующих материалов находятся в основном в виде молекул 
GaAs и ZnSe. Причем в интервале температур 650

750

С растворимость GaAs в олове 
изменяется в пределах от ~ 2.6 до ~ 5.5 мол.%, а ZnSe – от ~ 0.2 до ~ 0.35 мол.%, растворимость 
галлия и цинка неограниченная, а мышьяка - более 70 ат.%, селена - более 5 ат.%. Показано, 
что за счет отличия валентности атомов галлия и мышьяка силы химических связей между 
соседними атомами Ga и As, находящихся в тетраэдрической решетке, неодинаковы. В 

---