Talabasi Soliyev Muhammadyusuf Eletronika va Sxemalar fanidan Labaratoriya ishi Topshirdi: Soliyev M. Qabul qildi: Ergashev Sh

u
bilan ifodalanadigan bo's sezilarli to’g’ri tok yuzaga keladigan ancha yuqori to’g’ri kuchlanish sohasiga siljigan. Germaniyli diodlarda Ubo's~0,25+0,4 V, kremniyli diodlarda - Ubos —0,68^0,8 V.
^>^bo'sbo’lgandaVAXto’g’rishohobchasiningegilishidiodbazasohasiningqarshi ligir'sbilananiqlanadi.
Yarimo’tkazgichli diod VAXsiga tashqi muhit temperaturasining ta'siri 3.2rasm bilan tushuntiriladi. Temperatura ortganda to’g’ri va teskari tok ortadi.

i^i	к \ ' J horn f.
	u

Г > t


G . Ш


horn.

2. 
   rasm
   

Yarimo’tkazgichli diodga temperatura ta'sirini hisobga oladigan asosiy parametrlar bo’lib quyidagilar hisoblanadi:
Kuchlanishning temperaturaviy koeffitsinti _a

Q Uto'g'ri

a —

i — const
Щ-

va teskari tokni e martaga o’zgarishiga mos keluvchi temperatura t*
t — tn
t
itesk(t) — itesk (t 0)e

C'^uat ф •: - >ui I- /icueu— Jt

on
*3,

223
ГТ4—

шиш, las

i
^ИНИГЯГ^ Г-- .

■
* / > •' • м «

ап
, U •, в
jj;.L 717.71 V.V: 9,
• ••::»*$$
ЕЖ—

«Г. 1м I*

^ U ' ■ * * il - . . ^m :J 1
= 4.»щ Tmvi i"Qi Oitpi^n

3- LABORATORIYA ISHI UE ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish Ishning maqsadi: UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.
5.3 - rasmda keltirilgan o’lchash sxemasini yig’ing. Tranzistor tsokolining sxemasi 5.4 - rasmda keltirilgan. Rezistor qarshiliklari Rj= (5-10 ) kOm va R₂=(510-1000) Om.





0.000m All Wr

11.15m Alh
10k0hm
—w*—

854.0m V||
17.93m V||


Xulosa
Men bu topshiriqni amalga oshirish mobaynida UE ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etishni o’rgandim. Uning ishlash prinsipi,sxemalar bilan yaqindan va to'liq tanishdim va bu menga ko’plab qiziqarli biimlarni o’ganishimga yordam berdi.
UB ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish
|| 17.93m Vl|
Ishning maqsadi: UB ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.

1. 
   Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik:
   

2.


Chizmasi Natija.

1 kOhm
-^VW-

10 к Ohm —Wv—

-d.dddm All-

-jl 11.88|J A, i]

V

23.96|J V|

23.94p VI
11. 88 V|

Xulosa
Men bu topshiriqni bajarishda UB ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etishni o’rgandim.Uning ishlash prinsipi,sxemalar bilan to’liq va yaqindan tanishdim,va bu menga ko’plab qiziqarli bilimlarni o’ganishimga yordam berdi.