Таълим вазирлиги гулистон Давлат Университети Ахборот технологиялари факультети

Хулоса........................................................................................................................
Фойдаланган адабиётлар.....................................................................................

Кириш
Ишнинг долзарблиги. Ҳозирги вақтда фан техника ривожланган ва биринчи ўринга техник қурилмаларнинг самарадорлиги ҳамда таннархи чиққанлиги туфайли янги, арзон технология ва технологик материалларга бўлган талаб кескин ошиб бормоқда.Ўз навбатида янги технология хамда технологик материаллар асосида бирон-бир арзон ва олдингиларига нисбатан устунликка эга бўлган қурилмаларни яратиш эса бу технология ва материалларни чуқур ўрганишни тақазо этади. Ҳозирги вақтда оптоэлектроникада қўлланиладиган асбобларни яратишда зарур бўлган структураларни олиш, уларнинг таннархини пасайтириш мақсадида яримўтказгичлар материалшунослигида жадал илмий изланишлар олиб борилмоқда. A³B⁵ бирикмалари ва уларнинг қаттиқ қоришмалари яримўтказгичлар асбобшунослигида асосий материал ҳисобланади. Аммо A³B⁵ нинг жуда кўп бирикмалари нархи баланд ашёлар хисобланганлиги боис, улардан массив элементлар тарзида кенг миқёсда фойдаланиш иқтисодий жиҳатдан чегераланган. Оптоэлектрон элементлар актив қисмининг ўлчами бир неча микрометрни ташкил этиши сабабли, мазкур бирикмаларни қулай ва арзон, (С₂⁴)_1-x(A³B⁵)_x қаттиқ қоришмаларини принципиаль олиш мумкинлиги намойиш қилинган. Ҳозирги вақтгача (Si₂)_1-x(GaP)_x, (Si₂)_1-x(GaAs)_x, қаттиқ қоришмалар экспериментал олинган.

Аммо Si_1-xGe_x сингари қаттиқ қоришмалар бизгача тўлиқ ўрганилмаган олинмаган. Олинган қаттиқ қоришмалар ҳам чуқур ўрганилмаган ва янги тадқиқотларни талаб қилади.
Шу сабаб Si тагликларда суюқ фазадан устирилган Si_1-xGe_x қаттиқ қотишмаларини ўстириш, уларнинг электрофизик ва фотоэлектрик характеристикаларини ўрганиш ва уларнинг фотоэлектрик хоссаларига радиацион нурланишнинг таъсирини тадқиқ этиш яримўтказгич материалшунослигининг долзарб масаласи ҳисобланади.