Таълим вазирлиги гулистон Давлат Университети Ахборот технологиялари факультети

Муаммонинг ўрганилганлик даражаси. Тақдим этилаётган ишга қадар Si_1-xGe_x қаттиқ қотишмаси синтез қилинмаган ва тўлиқ ўрганилмаган. Айрим ишлар Si_1-xGe_x қаттиқ қоришмани ўстириш ва ўрганишга бағишланган. Si_1-xGe_x эпитаксиал қатламлари Si тагликларда қалай ва галлий қотишмаларидан ўстирилган ва баъзи катталиклари тўлиқ ўрганилмаган. Бундай қаттиқ қоришмаларни тадқиқ қилиш бошланғич этапда турибди.
Ишнинг мақсади. Кристалл такомиллашган янги Si_1-xGe_x ўрин алмашинувчи қаттиқ қоришмаларни олиш, уларнинг монокристаллигига эришиш, электрофизик ва фотоэлектрик параметрларини аниқлаш.
Тадқиқот вазифалари:
- Si_1-xGe_x қотишмаларнинг ўсиш шароитларини тадқиқ қилиш ва суюқ фазали эпитаксия усулида чегараланган ҳажмли қотишмалардан уларнинг эпитаксиал қатламларини олиш;
- Si тагликларга олинган Si_1-xGe_x қаттиқ қотишмалар эпитаксиал қатламларининг структуравий такомиллашганлигини, электрофизик ва фотоэлектрик хоссаларини тадқиқ қилиш;
Тадқиқот объекти ва предмети. Тадқиқот объекти Si_1-xGe_x қаттиқ қоришмалари ва улар асосидаги р-n ўтишлар, тадқиқот предмети эса Si_1-xGe_x қаттиқ қотишмаларнинг структуравий такомиллашишига эришиш, фундаментал параметрларини аниқлаш
Илмий янгилиги:
1. Биринчи марта (111) ориентацияли - Si тагликларга суюқ фазали эпитаксия усулида Pb қотишма-қоришмадан ўрин алмашинувчи Si_1-xGe_x қаттиқ қоришманинг қалай қотишма-қоришмадан ўрин алмашинувчи Si_1-xGe_x (0х1) қаттиқ қоришманинг p-типли монокристалл эпитаксиал қатламлари ўстирилди. Бундай ўрин алмашинувчи қаттиқ қоришмаларнинг ҳосил бўлиши қаттиқ қоришма компоненталарининг изовалентлиги ва молекулаларидаги атомларнинг ковалент радиусларининг йиғиндиси яқинлиги билан боғлиқ.
2.Si-Si_1-xGe_x (0х1) структуралар вольт-ампер характеристикаларининг тўғри томони 4 дан 5 В гача кучланишлар оралиғида кучланиш ошиши билан номувозанатий заряд ташувчилар амбиполяр диффузияси ва амбиполяр дрейфининг қарама-қарши йўналишлардаги инжекцион камайиши ҳисобига юзага келувчи, токнинг субчизиқли ўсувчи қисмларга эга эканлиги аниқланди.