Telekomunikatsiya” fakulteti “Elektronika va sxemalar” fanidan

2-rasm. Tranzistorning umumiy baza bilan (a) va umumiy emitter bilan (b) ulanish sxemalari

Tranzistorning turiga qarab kirish qarshiligining qiymati bir necha om dan bir qancha o„nlab Om diapazonida bo„ladi.
Chiqish qarshiligi kollektor kuchlanishi U_k ning tok I_k ga bo„lgan nisbatidan iborat:
Rchiq. b  U k
I_k
va har xil tranzistorlar uchun 0, 2 dan 1 MOm gacha bo„ladi.
Tok bo„yicha kuchaytirish koeffitsienti chiqish I_k va kirish I_e toklarining nisbati kabi topiladi:
I^k
 
I_э
Shu narsa xarakterliki, ko„rilayotgan sxemada tok bo„yicha kuchaytirish amalda yo„q (1), chunki tranzistorlarda umuman olganda, Ie -I_k I_b, bu sxemada esa baza toki haddan tashqari kichik, ya‟ni I_e  I_k.
Kuchlanish bo„yicha kuchaytirish koeffitsienti chiqish kuchlanishi U_n ning kirish kuchlanishi U_kir ga bo„lgan nisbatidan iborat:
KU  Uн
U_кир
Agar U_n  I_kR_n, U_kirI_eR_kir ekanligini hisobga olinsa, u holda kuchlanish bo„yicha kuchaytirish koeffitsientini quyidagicha ifodalash mumkin:
KU  IkRн   Rн
IэRкир Rкир
Bu sxema uchun kuchlanish buyicha kuchaytirish koeffsienti 5000 ga yetishi mumkin.
Ruxsat etilgan sochilish quvvati va chegaraviy chastotasi (tranzistorni ishlatish maqsadga muvofiq bo„lgan chastotasining chegarasi) kabi parametrlari avvalo tranzistorning turiga bog„liq va ular uning texnikaviy pasportida ko„rsatiladi.
Kirish xarakteristikasi (3 -rasm, a) kollektordagi kuchlanish o„zgarmas bo„lganida emitter toki Ie ning undagi kuchlanish Ue ga bog„liqligini, ya‟ni Uk  sopst da Ie (Ue) ni ifodalaydi. Bu xarakteristika qanchalik tik bo„lsa, tranzistorning kirish qarshiligi R_{kir, b} shuncha kichik bo„ladi. Ba‟zan hisoblashlarda
Uk  sopst da Ue  (I_e)bo„lgan xarakteristikadan foydalaniladi, buni ham kirish xarakteristikasi deb ataladi.