Texnalogiyalari uliversiteti

Магнитоэлектроника ва унинг қўлланиш соҳалари.



Magnitelektronika elektromagnetizm va magnit indüksiyon hodisalariga asoslangan katta asboblar guruhini o'z ichiga oladi. Magnit elektron qurilmalar barcha zamonaviy usullarni bajarishi mumkin: signallarni kuchaytirish (kuchaytirgichlar, maserlar), transformatorlar, drayvlar (saqlash qurilmalari), kanallarni qayta ulash (sirkulyatorlar, o'rni). Magnitelektronikaning komponent bazasi mikroinduktorlar, antennalar, magnit- rezonans sensorlarni o'z ichiga oladi. Magnitelektronikani qo'llashning asosiy yo'nalishlari radiotexnika, aloqa, televizor, radar, harbiy texnika hisoblanadi.

5.
Биринчи интеграл микросхемалар (ИМС) қачон ва кимлар томонидан яратилган?



1958 yil oxirida va 1959 yilning birinchi yarmida yarimo'tkazgich sanoatida yutuq yuzaga keldi. Uchta xususiy Amerika korporatsiyasini vakili bo'lgan uch kishi integral mikrosxemalar yaratilishiga to'sqinlik qilgan uchta asosiy muammolarni hal qildi. Texas Instruments kompaniyasining Jek Kilby birlashuv tamoyilini patentladi, birinchi nomukammal IMS prototiplarini yaratdi va ularni ketma- ket ishlab chiqarishga olib keldi.
IMSlarning hajmi ihcham, og'irligi kam, energiya sarfi kichik, ishonchliligi yuqori bo'lib, hozirgi kunda uch konstruktiv – texnologik variantlarda yaratilmoqda: qalin va yupqa pardali, yarimo'tkazgichli va gibrid.

6.
Интеграл микросхема (ИМС), унинг элементи ва компоненти.



Integral mikrosxema (IMS) o'ta ixcham, o'ta pishiq, kichik tannarxga ega bo'lgan va kam quvvat iste'mol qiladigan radioelement yasash yo'lidagi urinishlar mahsulidir. IMS elementi
deb, konstruktsiyasi bo'yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, ERE funktsiyasini bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi. IMS komponenti deb, diskret element funktsiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo'lgan IMSning bo'lagiga aytiladi. Yig'ish, montaj qilish operasiyalarini bajarishda komponentlar mikrosxema asosiga o'rnatiladi. Qobiqsiz diod va tranzistorlar, kondensatorlarning maxsus turlari, kichik o'lchamli induktivlik g'altaklari va boshqalar sodda komponentlarga, murakkab komponentlarga esa – bir nechta elementdan tashkil topgan, masalan, diod yoki tranzistorlar yig'malari kiradi.

7.
Интеграл микросхемаларнинг (ИМС) тавсифланиши.



Integral mikroelektronika va nanoelektronika bilan bir vaqtda funktsional elektronika rivojlanmoqda. Elektronikaning bu yo'nalishi ananaviy elementlar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar va kondensatorlar)dan voz kechish va qattiq jismdagi turli fizik hodisa (optik, magnit, akustik va h.k.)lardan foydalanish bilan bog'liq. Funkisonal elektronika asboblariga akustoelektron, magnitoelektron, kriogen asboblar va boshqalar kiradi.

8.
Интеграл микросхемаларнинг (ИМС) белгиланиш тизими.



Imslar 6ta elementdan iborat bo'lgan belgilanish tizimi yordamida klassifikasiyalanadi: Birinchi element (K – harfi) – IMS keng ko'lamda qo'llanilish uchun mo'ljallanganligini bildiradi. Ikkinchi element (harf) material va kobiq turini bildiradi (A - plastmassali planar, E- metall- polimerli, chiqishlari 2qator qilib yasalgan, I- shishakeramikli planar, B- qobiqsiz). Uchinchi element (bitta son) – IMSning konstruktiv- texnologik turini bildiradi (1,5,6,7- yarimo'tkazgichli, 2,4,8- gibrid, 3- boshqa: pardali, keramik, vakuumli). To'rtinchi element (ikkita yoki uchta
son) – IMS seriyasining tartib raqamini bildiradi. Ikkita son birlalikda- aniq seriya raqamini bildiradi. Beshinchi element (ikkita harf) – IMSning funktsional vazifasini bildiradi. Oltinchi element bir turdagi IMS seriyalari ichidagi ishlanma tartib raqamini bildiradi.

9.
Интеграл микросхемаларнинг (ИМС) актив ва пассив элементлари.



Yarim o'tkazgich IMS ning faol va passiv elementlari bipolyar tranzistor tuzilishi asosida amalga oshirilishi mumkin. Emitter e, kollektor K va b ma'lumotlar bazasining xulosalari boshqa elementlarning xulosalari bilan bir xil tekislikda yotadi. Ushbu dizayn planar deb ataladi. Planar strukturada kollektor oqimining uzunligi oshadi va shuning uchun bu oqimning qarshiligi tranzistorning bir qator parametrlariga salbiy ta'sir ko'rsatadi.
Kollektor maydonining qarshiligini kamaytirish uchun u n + - tipli past yashirin qatlamni yaratadi.

10.
Интеграл микросхемаларнинг (рақамли) асосий параметрлари.



Рақамли техника ҳозирги кунда ҳисоблаш техникасининг асосини ташкил қилиб қуйидаги йўналишларда кенг қўлланилмоқда:



транзисторнинг яратилиши туртки бўлди. Бизга маълум бўлган мантиқий функция ва амалларни ҳосил қилишда транзисторлардан фойдаланиш имконияти мавжудлиги рақамли техниканинг шу даражада жадал ривожланишига олиб келди

• 
  Рақамли қурилмалар деб, мантиқий алгебра функцияларини амалга ошириш учун ишлатиладиган қурилмаларга айтилади.
  
• 
  Рақамли қурилмалар кодли сўзларни киритиш ва чиқариш усулига қараб кетма- кет, параллел ва аралаш турларга бўлинади.
  
• 
  Кетма- кет рақамли қурилма киришига кодли сўз белгилари бир вақтда берилмайди.
  

11. ИМСлар яратишнинг технологик жараёни.

Интеграл микросхема (ИМС) кўп сонли транзистор, диод, конденсатор, резистор ва уларни бир – бирига уловчи ўтказгичларни ягона конструкцияга бирлаштиришни (конструктив интеграция); схемада мураккаб ахборот ўзгартиришлар бажарилишини (схемотехник интеграция); ягона технологик циклда, бир вақтнинг ўзида схеманинг электрорадио элементлари (ЭРЭ) ҳосил қилинишини, уланишлар амалга оширилишини ва бир вақтда гуруҳ усули билан кўп сонли бир хил интеграл микросхемалар ҳосил қилиш (технологик интеграция) ни акс эттиради. ИМС, ягона технологик циклда, ягона асосда тайёрланган ва ахборот ўзгартиришда маълум функцияни бажарувчи ўзаро электр жиҳатдан уланган ЭРЭлар мажмуасидир

12.
Ярим ўтказгичли ИМС, тузилмаси.



Ярим ўтказгичли IMS- bu elementlar yarimo'tkazgich substratining yer osti qatlamida ishlab chiqarilgan chip (shakl. 5). Ushbu IMS zamonaviy mikroelektronikaning asosini tashkil etadi.

12.
Ярим ўтказгичли ИМС яратилишининг технологик жараёни.



Issiqlik oksidlanishi yarimo'tkazgich asboblarini ishlab chiqarishda ma'lum bo'lgan standart texnologik jarayonlardan farq qilmaydi. Silikon yarimo'tkazgich chiplari texnologiyasida oksidli qatlamlar keyingi texnologik jarayonlarda yarimo'tkazgich kristalining (elementlarning, chiplarning) alohida qismlarini izolyatsiya qilishga xizmat qiladi. Yarim Supero'tkazuvchilar integral mikrosxemalar ishlab chiqarishda eng ko'p tomonlama texnologik jarayon optik litografiya yoki fotolitografiya hisoblanadi. Fotolitografiya jarayonining mohiyati fotosensitiv qoplamalarda (fotorezistlar) yuz beradigan fotokimyoviy hodisalardan foydalanishga asoslangan.

12.
Интеграл микросхемаларда легирлаш жараёни.



Легирлаш-яримўтказгич ҳажмига киритмаларни киритиш жараёни. ИМСлар тайёрлашда легирлаш схеманинг актив ва пассив элементларини ҳосил қилиш ҳамда зарур ўтказувчанликни таъминлаш учун керак. Ион
легирлашетарли энергиягача тезлатилган киритма ионларини ниқобдаги тирқишлар орқали кристалга киритиш билан амалга оширилади. Ион легирлаш универсаллиги ва осон амалга оширилиши билан характерланади. Ионлар токини ўзгартириб легирловчи киритмалар концентрациясини, энергиясини ўзгартириб эса – легирлаш чуқурлигини бошқариш мумкин.



Газ фазали ва суюқ фазали эпитаксия усуллари кенг тарқалган бўлиб, улар монокристал асос сиртида n– ёки р–турли ўтказувчанликка эга бўлган эпитаксиал
қатламлар ҳосил қилиш имконини беради. Термик оксидлаш
– кремний сиртида оксид (SiO2) қатлам (парда) ҳосил қилиш мақсадида сунъий йўл билан оксидлашдан иборат жараён. У юқори (1000÷1200) 0С температураларда кечади.

12.