Tiristorlar

I_B  I_E1 I_C1  1₁I_E1 I₁  1₁I I₁,
(51)
bu yerda I₁ tranzistor 1 uchun I_cvo sirqish tokidir. Bu baza toki n-p-n – tranzistor kolektor toki (₂ tok kuchaytirish koeffitsiyentli tranzistor 2) bilan taminlanadi. n-p-n – tranzistorning kollektor toki quyidagiga tengdir:
I_C2 ₂I_E2  I₂ ₂I  I₂,
(52)
bu yerda I₂ – tranzistor 2 uchun I_CBO sirqish tokidir. I_v1 va I_c2 tenglashtirgan holda quyidagini olamiz:

I I  1  ^I2 11 2

.

25. 
    – rasm. (a) To‘rt qatlamli p-n-p-n diod. (b) tiristorning odatiy legirlash taqsimoti. (c) issiqlik muvozanatida tiristorning energetik zona diagrammasi.
    

25. 
    – rasm. p-n-p-n diodning volt amper tavsifi.
    

25. 
    – rasm. Tiristorning ikki tranzistorli ko‘rinishi.
    

Xar xil sohalarda siljish p-n-p-n diodning kambag‘allashgan qatlam kengligini o‘zgarishi 28 – rasmda ko‘rsatilgan. Issiqlik muvozanatida (29a – rasm) tok oqib o‘tmaydi hamda kambag‘allashgan qatlam kengligi kirishmalarning legirlash taqsimoti bilan aniqlanadi.
J1 va J3 o‘tishlar to‘g‘ri siljigan bo‘ladi. J2 teskari siljigan bo‘ladi. ko‘proq kuchlanish tushuvchi markaziy o‘tishda J2 yuz beradi. To‘g‘ri o‘tkazuvchi holatda (28c – rasm) barcha uchta o‘tish to‘g‘ri siljigan bo‘ladi. Ikkala tranzistor (p₁-n₁-p₂ va n₁-p₂-n₂) to‘yinish rejmida bo‘ladi. Shuning uchun asbobdagi kuchlanish tushuvi juda kichik bo‘ladi. (V₁-V₂+V₃) bilan beriladi. U bitta to‘g‘ri siljigan p-n o‘tishdagi kuchlanish tushuviga taxminan teng bo‘ladi. Teskari o‘tkazmaydigan holatda (28 d - rasm) J2 o‘tish to‘g‘ri siljigan bo‘ladi, biroq ikkala J1 va J3 o‘tishlar teskari siljigan bo‘ladi. 25b – rasmda ko‘rsatilgan legirlash taqsimoti uchun teskari teshilish kuchlanishi asosan n₁ sohada kirishmalarning konsentratsiyasi kichikligi tufayli J1 bilan aniqlanadi.
29a – rasm. Planar jarayon bilan tayyorlangan p₂ soha boshqaruvchi elektrod ulangan tristorning konfiguratsiyasini ko‘rsatadi. Tiristorning ko‘ndalang kesimi 29b – rasmda uzluksiz chiziq bo‘ylab ko‘rsatilgan. Tiristorning volt amper tavsifi p-n-p-n diodnikiga o‘xshash bo‘ladi.
Boshqarish toki Ibosh ₁+₂ oshishi yuzaga keltiradi vaulanish pastroq kuchlanishda yuz beradi. 10 – rasm tiristorning volt amper tavsifiga boshqarish tokining tasirini ko‘rsatadi. Boshqarish toki oshishi bilan to‘g‘ri ulanish kuchlanishi kamayadi. 31a – rasmda tiristorning oddiy qo‘llanilishi ko‘rsatilgan bo‘lib, o‘zgaruvchi quvvat o‘zgarmas quvvat liniyasidan yuklamasiga yetkaziladi. R₂ yuklama yoritish lampasi yoki issitgich bo‘lishi kerak xar sikl davomida yuklamaga yetkazilayotgan quvvat miqdori tiristor boshqarish toki pulsi vaqtiga bog‘liq bo‘ladi (31b – rasm).
Agar tok puls boshqarish elektrodiga xar bir siklning boshlanishiga yaqin yetkazilsa, ko‘pqor quvvat yuklamaga yetkaziladi. Biroq tok pulsi kechiksa, siklda tiristor ulanmaydi va yuklamaga yetkazilayotgan quvvat miqdori sezilarlicha kamayadi.

28. 
    – rasm. Tiristor (a) muvozanat, (b) to‘g‘ri o‘tkazmaydigan, (c) to‘g‘ri o‘tkazuvchi va (d) teskari o‘tkazmaydigan holatda ishlaganda kambag‘allashgan qatlam kengligi va kuchlanish tushuvi.
    

28. 
    – rasm. (a) Planar uchta chiqishli tiristor sxemasi (b) planar tiristorning bir o‘lchamli ko‘ndalang kesimi.
    

28. 
    – rasm. Tiristorning volt-amper tavsifiga boshqaruvchi tokning ta’siri