Toshkent axborot texnologiyalari universiteti operatsion tizimlar

FPM DRAM: Tez sahifa rejimi dinamik tasodifiy kirish xotirasi DRAMning asl shakli. U bir oz ma'lumotni ustun va satr bo'yicha joylashtirishning butun jarayonini kutadi va keyingi bitda boshlanishidan oldin bitni o'qiydi. L2 keshiga maksimal uzatish tezligi taxminan 176 Mbit / s ni tashkil qiladi.
EDO DRAM: Kengaytirilgan ma'lumotlarning dinamik tasodifiy kirish xotirasi keyingi bitga o'tishdan oldin birinchi bitning barcha qayta ishlanishini kutmaydi. Birinchi bitning manzili joylashgan zahoti EDO DRAM keyingi bitni qidira boshlaydi. Bu FPM DRAMdan taxminan 5-20 foizga tezroq . L2 keshiga maksimal uzatish tezligi taxminan 264 Mbit / s ni tashkil qiladi.
SDRAM: Sinxron dinamik tasodifiy kirish xotirasi ishlashni sezilarli darajada yaxshilash uchun burst mode (portlash rejimi) kontseptsiyasidan foydalanadi. Bu so'ralgan bitni o'z ichiga olgan qatorda turish va ustunlar bo'ylab tezlik bilan harakat qilish, har bir bitni o'qish orqali amalga oshiradi. Ko'pincha protsessorga kerak bo'lgan ma'lumotlar ketma-ketlikda bo'ladi. Operativ xotira va soatni sinxronlashtirish orqali protsessor ma'lum bir vaqtda bajarishi mumkin bo'lgan ko'rsatmalar sonini oshiradi. SDRAM EDO operativ xotirasidan taxminan besh foizga tezroq va soniyasiga 0,8-1,3 megatransfer tezligiga ega ( MT/s ). L2 keshiga maksimal uzatish tezligi sekundiga taxminan 528 megabaytni tashkil qiladi.
DDR SDRAM: Bu SDRAM ning keyingi avlodi. Ma'lumot tezligi sinxron dinamik RAM xuddi SDRAMga o'xshaydi, bundan tashqari u yuqori o'tkazish qobiliyatiga ega, bu esa katta tezlikni anglatadi. Uning uzatish tezligi 2,1-3,2 MT/s. DDR 2000 yilda chiqarilgan va undan keyingi uchta avlodga ega. DDR2 (2003) 4,2-6,4 MT/s uzatish tezligiga ega va DDR3 (2007) ma’lumotlarni 8,5-14,9 MT/s tezlikda uzatadi. Keng tarqalgan foydalanishdagi eng so'nggi avlod - 2014 yilda ishga tushirilgan DDR4. Uning uzatish tezligi 17-21,3 MT/s. Ushbu standartlar elektronika kompaniyalaridan tashkil topgan Qo'shma Elektron Qurilmalar Muhandislik Kengashi (JEDEC) tomonidan o'rnatiladi. JEDEC 2020-yil iyul oyida DDR5 uchun spetsifikatsiyasini chiqardi . RAM ishlab chiqaruvchi Micron yangi standart ishlashni 87 foizga oshiradi , deb hisoblaydi DDR4 moduli bilan solishtirganda.
RDRAM: Rambus dinamik tasodifiy kirish xotirasi oldingi DRAM arxitekturasidan tubdan farq qiladi. Rambus tomonidan ishlab chiqilgan RDRAM o'lchami va pin konfiguratsiyasi bo'yicha standart DIMMga o'xshash Rambus in-line xotira modulidan (RIMM) foydalanadi. RDRAMning juda farq qiladigan tomoni, uning Rambus kanali deb ataladigan maxsus yuqori tezlikdagi ma'lumotlar avtobusidan foydalanishidir. RDRAM xotira chiplari 800 MGts yoki 1600 Mbit / s yoki undan yuqori ma'lumotlar tezligiga erishish uchun parallel ravishda ishlaydi. Ular shunday yuqori tezlikda ishlaganligi sababli, ular boshqa turdagi chiplarga qaraganda ancha ko'proq issiqlik hosil qiladi. Ortiqcha issiqlikni yo'qotishga yordam berish uchun Rambus chiplari uzun ingichka gofretga o'xshash issiqlik tarqatuvchi bilan jihozlangan. DIMMlarning kichikroq versiyalari bo'lgani kabi, noutbuklar uchun mo'ljallangan SO-RIMMlar ham mavjud.
CMOS RAM: CMOS RAM bu qattiq disk sozlamalari kabi narsalarni eslab qolish uchun kompyuter va ba'zi boshqa qurilmalar tomonidan ishlatiladigan kichik hajmdagi xotira uchun atama. Ushbu xotira xotira tarkibini saqlash uchun zarur bo'lgan quvvat bilan ta'minlash uchun kichik batareyadan foydalanadi.