Tranzistorlar

Qotishmali diffusion tramzistorlar. Bu xildagi tramzistorlar qotishmali 
texnologiyani diffusion qo‟shgan holda olib boradi. Bunda indiy-surma bilan 
yarimo‟tkazgich plastina sirtiga joylashtirib qizdiriladi. Bunda bo‟lakni suyultirish 
natijasida electron o‟tish hosil bo‟ladi. Biroq yuqori tranzistorlariga bir vaqtni 
o‟zida erish jarayonidan tashqari diffuzia ham ketadi. Ya‟ni elektrondan diffuzis 
kristall biri- akseptor ikkinchisi esa donor kirishma vazifasini boshqaradi. Ular 
kristall qolipligi bo‟yicha har xil chuqurlikka diffuziolanadi va notekis 
taqsimlangan p-turdagi baza hosil bo‟ladi. Kollektor sifatida p-turdagi germaniy 
plastinka xizmat qiladi. (2-rasm.) 

---

 
2-rasm. Qotishmali diffusion transistor 
Baza soxasi orqali asosiy bo‟lmagan zaryadlarni ko‟chishi, asosan elektr
maydon dreyfi bilan amalga oshirilgani uchun, bunday tremzistorlarni dreyf
trenzistorlar deyiladi. Dreyf tranzistorlarni baza kamligi 0.5-1m km bo‟lganligi 
uchun ularni chegara chastota 500-10.000m 9 ga yetadi. Bu tranzistorlarda 
kamchilik emitterda ta‟siri kuchlanishni kichikligi va katta quvvatli tranzistorlarni 
ishlab chiqarishni qiyinligidir.
Diffuzion planar tranzistorlar. Bu ko‟rinishdagi tranzistorlarni tayyorlash 
kremniy oksidini olib, unda ochilgan parada tirqishlar orqali kirishma 
atomlarining diffuziya usulida foydalaniladi. Texnologik amallar ketma-ketligi
3-rasmda ko‟rsatilgan.

---

3-rasm. Diffuzion planar tranzistorning olininshi 
Planar tranzistorni tayyorlash uchun n-turdagi kremniy olinib nihoyasida 
kollektor vazifasini o‟taydigan plastinka oldin suv bug‟i yoki kislorod muhitiga 
joylashtirilib sirtida zich parda Si O
2 
hosil qiladi. 3-rasm a) Fotolitografiya 
usulida parda tirqish, 3-rasm, b) hosil qilinib u orqali akseptor bor diffuziya 
qilinadi. 3-rasm v) Bunda plastinkaga p-tur baza qatlami hosil bo‟ladi. Shu 
jarayon vaqtni o‟zida oksidlanish yuz beradi.Hosil bo‟lgan oksid pardadan yana 
tirqish 3-rasm, g)ochilib u orqali pardadan donor-fosfor kamroq chuqurlikka 
diffuziya qilinadi. Natijada “n” Qturdagi emitter qatlam hosil bo‟ladi.3-rasm,d) 
Keyin yana hosil bo‟lgan Si O
2 
qatlam hosil bo‟ladi va yediriladi.3-rasm, e) 
Kontaktlar purkaladi va termobosim usulida chiqqichlar ulanadi.3-rasm, j) nihoyat, 
diffusion –planar transistor tuzilmasining umumiy ko‟rinishi 4-rasmda 
ko‟rsatilgan.

---